據(jù)外媒報(bào)道,11月11日,印度國(guó)防研究與發(fā)展組織(DRDO)下屬的固體物理實(shí)驗(yàn)室已成功開發(fā)出本土一種工藝,可以生長(zhǎng)和制造直徑為4英寸的碳化硅(SiC)晶片。此外,他們還已制造出功率高達(dá)150W的氮化鎵(GaN)HEMT以及功率為40W的單片微波集成電路(MMIC),這些器件能夠在...  [詳內(nèi)文]
印度開發(fā)出4英寸碳化硅晶圓工藝 |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 11 月 13 日 15:56 | 分類 功率 |