12月18日，據(jù)長飛先進(jìn)官微消息，長飛先進(jìn)武漢基地項目首批設(shè)備搬入儀式于光谷科學(xué)島舉辦。
source：長飛先進(jìn)
據(jù)介紹，長飛先進(jìn)武漢基地項目本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等。目前，長飛先進(jìn)武漢基地項目正推進(jìn)建設(shè)并對設(shè)備進(jìn)行安裝調(diào)試，預(yù)計2025年5月實現(xiàn)量產(chǎn)通線。
據(jù)長飛先進(jìn)官微此前消息，長飛先進(jìn)武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項目總投資預(yù)計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。項目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等領(lǐng)域。
據(jù)了解，近期除長飛先進(jìn)武漢基地外，還有2個碳化硅芯片/模塊項目披露了最新進(jìn)展，分別位于江蘇東臺、福建廈門。
11月21日，相關(guān)環(huán)保網(wǎng)披露的文件顯示，士蘭微旗下廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司碳化硅功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目已驗收。該項目依托現(xiàn)有廠房，新增一條SiC產(chǎn)線，主要生產(chǎn)SiC功率芯片產(chǎn)品。項目新增SiC產(chǎn)能規(guī)模為MOSFET芯片28.8萬片/年、SBD芯片28.8萬片/年。
12月6日，瑞福芯科技“車規(guī)級SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項目”落地東臺高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，公司與東臺高新區(qū)正式簽署了《投資協(xié)議》、《補充協(xié)議》。投資協(xié)議顯示，整個項目投資10-15億元，分兩期實施，首期投資3億元。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac）
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