12月17日，碳化硅（SiC）晶圓代工廠商X-fab推出了新一代XbloX平臺XSICM03。該平臺可推進SiC工藝技術在功率MOSFET的應用，并顯著降低單元間距，從而在不影響可靠性的前提下增加了每片晶圓芯片數量并改善導通電阻。
source：X-fab
X-fab介紹，XbloX整合了經過驗證的SiC工藝開發(fā)模塊和平面MOSFET生產的模塊，簡化了入門流程，并顯著降低了設計風險和產品開發(fā)時間。
通過將經過驗證的工藝模塊與強大的設計規(guī)則、控制計劃和失效模式及影響分析（FMEA）相結合，XbloX實現了更快的原型制作、更簡便的設計評估和更短的市場上市時間。該平臺為客戶提供了競爭優(yōu)勢，允許設計師創(chuàng)建多樣化的產品組合，同時比傳統(tǒng)開發(fā)方法提前多達九個月實現生產。
新一代平臺在保持穩(wěn)健的工藝控制以及漏電和擊穿性能的同時，減小了活動區(qū)域設計單元尺寸。XSICM03平臺憑借穩(wěn)健的設計規(guī)則，允許客戶創(chuàng)建單元間距比上一代小25%以上的SiC平面MOSFET。
這一改進使得每片晶圓的芯片數量比上一代增多30%。利用經過驗證的工藝模塊，平臺確保了柵氧可靠性和器件穩(wěn)健性。豐富的PCM庫和增強的設計支持使得客戶能夠快速流片，從而加速產品開發(fā)。
X-fab Texas的首席執(zhí)行官Rico Tillner評論道：“通過其簡化的方法，我們的下一代工藝平臺滿足了汽車、工業(yè)和能源應用中對高性能SiC器件日益增長的需求。公司通過加速原型制作和設計評估，使現有和新客戶能夠創(chuàng)建應用優(yōu)化的產品組合，顯著縮短上市時間。（集邦化合物半導體Morty編譯）
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