近期，GaN產(chǎn)業(yè)各類動(dòng)態(tài)讓人目不暇接，涉及技術(shù)進(jìn)展、新品發(fā)布、項(xiàng)目建設(shè)、融資并購(gòu)、廠商合作等方方面面，而在近日，GaN產(chǎn)業(yè)鏈又新增兩起合作案例，這在一定程度上顯示了GaN產(chǎn)業(yè)熱度正在持續(xù)上漲。
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CGD與ITRI簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄
5月30日，Cambridge GaN Devices（CGD）與中國(guó)臺(tái)灣綠能與環(huán)境研究所（ITRI）簽署了諒解備忘錄，在為USB-PD適配器開發(fā)高性能 GaN 解決方案方面加強(qiáng)合作。
CGD首席商務(wù)官Andrea Bricconi表示，CGD 將于6月在紐倫堡舉行的PCIM展會(huì)上展示部分 ITRI 的電路板設(shè)計(jì)。通過(guò)利用CGD獨(dú)特的IC芯片架構(gòu)和ITRI的專利設(shè)計(jì)，這些設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了縮小應(yīng)用尺寸、高能效、高功率密度，提高了競(jìng)爭(zhēng)力。
ITRI商用電源設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Wen-Tien Tsai表示，CGD的IC增強(qiáng)型GaN ICeGaN系列產(chǎn)品提高了易用性，促進(jìn)了智能溫度控制，并提高了柵極可靠性。
據(jù)悉，USB-PD適配器是GaN市場(chǎng)上首類商用化產(chǎn)品，也是CGD和ITRI首次合作瞄準(zhǔn)的領(lǐng)域。雙方合作協(xié)議涵蓋了為電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具、筆記本電腦和手機(jī)應(yīng)用開發(fā)功率密度超過(guò)30W/in3的電源解決方案，功率范圍140-240W。
資料顯示，CGD是一家無(wú)晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效GaN功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。
佳恩半導(dǎo)體與西安電子科技大學(xué)達(dá)成戰(zhàn)略合作
5月28日，青島佳恩半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱佳恩半導(dǎo)體）與西安電子科技大學(xué)戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島舉行。
此次合作，雙方將共同研究開展GaN功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與特性仿真，獲得器件優(yōu)化結(jié)構(gòu)及參數(shù)，基于GaN器件制造平臺(tái)開展器件核心工藝實(shí)驗(yàn)研究、工藝參數(shù)優(yōu)化及器件樣品研制，針對(duì)GaN功率器件特點(diǎn)，開展器件仿真研究，揭示器件特性與結(jié)構(gòu)的內(nèi)在關(guān)聯(lián)，開展GaN功率器件的柵結(jié)構(gòu)及柵金屬、歐姆接觸、鈍化層等核心工藝研究。
作為一家功率半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)公司，佳恩半導(dǎo)體致力于高端半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、開發(fā)、制造及銷售，擁有IGBT、MOSFET和FRD等功率半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)和工藝集成技術(shù)，并建有IGBT產(chǎn)品性能測(cè)試、應(yīng)用及可靠性試驗(yàn)室。
產(chǎn)品方面，佳恩半導(dǎo)體自主研發(fā)的產(chǎn)品涵蓋了600V-1200V IGBT芯片、500V-1500V MOS芯片、400V-1200V FRD芯片。
終端應(yīng)用方面，佳恩半導(dǎo)體研發(fā)的產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于變頻器、高鐵配套設(shè)施、工業(yè)逆變控制、無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電焊機(jī)、電磁感應(yīng)加熱、UPS、汽車充電樁及消費(fèi)類開關(guān)電源等領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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