5月28日，由保定高新區(qū)與北京世紀金光半導體有限公司（以下簡稱世紀金光）共同出資設立的宇泉半導體（保定）有限公司（以下簡稱宇泉半導體）在保定高新區(qū)大學科技園科創(chuàng)分園揭牌，標志著宇泉半導體在保定高新區(qū)投資的SiC功率模塊項目正式投產。
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據保定晚報報道，宇泉半導體是保定高新區(qū)為引入世紀金光“年產165萬只碳化硅功率模塊生產項目”，于去年11月設立的項目公司。該項目主要建設一條年產165萬只SiC功率模塊生產線，項目總投資4.1億元，整體建設周期2.5年。該項目整體建設完成并達產后，預計可實現年均產值7.5億元，申請國家專利不少于300項，開發(fā)出100個功率模塊新產品。
據悉，宇泉半導體建設的功率模塊生產線采用節(jié)能環(huán)保國際先進工藝，該工藝的突出特點是能耗低、無污染、產出高。目前，以生產SiC功率模塊為主，產品廣泛應用于航空航天、軌道交通、新能源汽車、智能電網、光伏逆變、風力發(fā)電、工業(yè)控制、白色家電等領域。
作為宇泉半導體成立的出資方之一，成立于2010年12月的世紀金光是一家貫通SiC全產業(yè)鏈的綜合半導體企業(yè)，致力于第三代半導體功能材料和功率器件研發(fā)與生產。其前身為中原半導體研究所，始建于1970年。
技術研發(fā)進展方面，世紀金光已解決了高純SiC粉料提純技術、6英寸SiC單晶制備技術、高壓低導通電阻SiC SBD、MOSFET結構及工藝設計技術等，已完成SiC功能材料生長、功率元器件和模塊制備、行業(yè)應用開發(fā)和解決方案提供等領域的全面布局。
產品方面，世紀金光6英寸SiC單晶已量產；功率器件和模塊制備已覆蓋額定電壓650-1700V、額定電流5-100A的SiC SBD，額定電壓650-1200V、額定電流20-100A的SiC MOSFET，50-600A的全橋、半橋混合功率模塊及全SiC功率模塊等。
終端應用方面，世紀金光SiC功率器件已經應用于電源PFC、充電樁充電模組、光伏逆變器、特種電源等領域；基于SiC技術的新能源汽車電機驅動系統(tǒng)的技術開發(fā)已經獲得進展。
此次SiC功率模塊項目投產，有助于世紀金光進一步深化新能源汽車、光儲充、工業(yè)電源等領域布局。
除宇泉半導體SiC功率模塊項目外，5月以來還有多個SiC相關項目取得積極進展，包括湖南三安半導體SiC項目二期、長飛先進武漢基地項目、士蘭微8英寸SiC功率器件生產線項目等。（集邦化合物半導體Zac整理）
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