超1300億!2024年數(shù)十個SiC項目有新進展

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 05 月 09 日 18:10 | 分類 功率

2024年以來,SiC產(chǎn)業(yè)延續(xù)了2023年的火熱態(tài)勢,企業(yè)圍繞技術(shù)研發(fā)、簽單合作、投融資、IPO、產(chǎn)能建設(shè)等方面忙得不亦樂乎,各大廠商頻頻有利好消息傳出。

在投資擴產(chǎn)大旗下,2024年以來已有超30個項目披露了新進展,或簽約、或開工、或封頂、或投產(chǎn),各個項目都在積極推進當(dāng)中,不斷為SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動力。

這數(shù)十個項目中,不乏投資上百億的大手筆,彰顯了相關(guān)企業(yè)對于自身以及整個SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的信心。

新項目占據(jù)半壁江山

在新能源汽車、光儲充等市場需求推動下,SiC功率器件用量持續(xù)走高,前景光明。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究,2023年全球SiC Power Device市場規(guī)模約30.4億美元,至2028年有望上升至91.7億美元,CAGR達25%。

盡管SiC功率器件市場規(guī)模將持續(xù)增長,但其仍處于供不應(yīng)求狀態(tài),擴產(chǎn)順理成章,在市場大蛋糕吸引下,眾多SiC相關(guān)廠商紛紛加入投資擴產(chǎn)行列。2024年以來,據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計,有十多個SiC相關(guān)項目簽約落地或進行環(huán)評公示,這些項目都在進行開工前準(zhǔn)備工作。

從投資規(guī)模來看,嘉興國家高新區(qū)SiC半橋模塊制造項目、賽達半導(dǎo)體SiC外延項目、連城數(shù)控第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造項目、摩珂達SiC項目、江西罡豐第三代半導(dǎo)體襯底外延建設(shè)項目總投資額均在10億元(含)以上。其中,摩珂達SiC項目將投資超50億元,成為規(guī)模方面的領(lǐng)頭羊。

從產(chǎn)能來看,嘉興國家高新區(qū)SiC半橋模塊制造項目規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn)90萬套SiC半橋模塊制造生產(chǎn)線及相關(guān)配套,賽達半導(dǎo)體SiC外延項目2027年規(guī)劃產(chǎn)能為30萬片/年,普興電子6英寸低密度缺陷SiC外延片產(chǎn)業(yè)化項目將實現(xiàn)年產(chǎn)24萬片SiC外延片,東尼電子擴建SiC項目將年產(chǎn)20萬片SiC襯底,江西罡豐第三代半導(dǎo)體襯底外延建設(shè)項目(一期)將年產(chǎn)40萬片SiC襯底,這些項目在產(chǎn)能方面成為佼佼者。

從內(nèi)容來看,這些新落地項目覆蓋SiC產(chǎn)業(yè)鏈大部分環(huán)節(jié),部分新項目聚焦襯底/外延環(huán)節(jié),這是SiC功率器件生產(chǎn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié),也是能夠快速有效實現(xiàn)降本增效的部分,包括天睿半導(dǎo)體項目、百豪新材料大尺寸SiC單晶襯底產(chǎn)業(yè)化項目等。

其中,天睿半導(dǎo)體項目將新建8英寸SiC和GaN晶圓廠,并通過產(chǎn)業(yè)并購和新建項目等方式布局第三代半導(dǎo)體襯底外延、晶圓制造、器件設(shè)計、系統(tǒng)應(yīng)用及相關(guān)設(shè)備生產(chǎn)等全產(chǎn)業(yè)鏈。

部分新項目致力于生產(chǎn)SiC功率器件/模塊,包括臻驅(qū)半導(dǎo)體SiC功率模塊項目、揚杰科技SiC模塊封裝項目、愛矽科技車規(guī)級SiC模塊封裝產(chǎn)品項目等。其中,揚杰科技是國內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化(IDM)的廠商。

這些新項目當(dāng)中,連城數(shù)控第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造項目是少有的SiC設(shè)備相關(guān)項目。該項目擬投資不超過10.5億元,規(guī)劃建設(shè)SiC長晶和加工設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)制造基地。

在SiC設(shè)備方面,連城數(shù)控于2020年底開始對SiC晶體生長爐進行研發(fā)立項,2021年9月開始對SiC等超硬材料多線切割機研發(fā)立項。2023年上半年,連城數(shù)控取得了多項技術(shù)研發(fā)成果,如創(chuàng)新推出單晶爐設(shè)備“一鍵拉晶”系統(tǒng)、液相法SiC長晶爐順利下線并取得客戶數(shù)臺訂單、SiC立式感應(yīng)合成爐科研成果通過專家團鑒定等。

巨頭云集,項目建設(shè)熱火朝天

2024年以來,已開工、正在積極建設(shè)中的項目同樣數(shù)量眾多、各具特色。其中,三責(zé)新材南通二期高精度高純度半導(dǎo)體設(shè)備用SiC部件項目于3月15日開工,作為九峰山實驗室重大配套工程的武漢新城化合物半導(dǎo)體孵化加速及制造基地項目則于5月6日開工。

同時,江蘇誠盛科技——麒思大功率器件項目、湖南三安半導(dǎo)體基地項目二期、重慶三安半導(dǎo)體SiC襯底項目、天域半導(dǎo)體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項目、天科合達SiC項目二期、Wolfspeed旗下8英寸SiC制造中心等項目建設(shè)取得新進展。

其中,湖南三安半導(dǎo)體基地二期工程在今年1月已進入廠房裝修后期階段,總投資為80億元,全面達產(chǎn)后將實現(xiàn)50萬片6英寸SiC襯底的年產(chǎn)能;2月初,重慶三安半導(dǎo)體SiC襯底項目B1棟封頂,規(guī)劃總投資70億元,規(guī)劃年產(chǎn)能為8英寸SiC襯底48萬片;作為今年以來少有的傳出新進展的國際廠商項目,耗資50億美元的Wolfspeed旗下8英寸SiC制造中心于3月26日宣告封頂。

這些正在積極推進的項目,大部分聚焦SiC材料和器件。材料方面,天域半導(dǎo)體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項目投資額達80億元,建成后用于生產(chǎn)6英寸/8英寸SiC外延片,總產(chǎn)能達150萬片/年,第一期預(yù)計在今年4月開始投產(chǎn)?;诖隧椖?,天域半導(dǎo)體有望成為國內(nèi)較早實現(xiàn)8英寸量產(chǎn)的企業(yè)之一。

器件方面,長飛先進武漢基地項目預(yù)計今年6月封頂,明年7月投產(chǎn)。該項目總投資預(yù)計200億元,一期總投資100億元,可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓,包括外延、器件設(shè)計、晶圓制造、封裝等。

2024年內(nèi),江蘇誠盛科技——麒思大功率器件項目、嘉興斯達SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、天域半導(dǎo)體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項目、天科合達SiC項目二期等有望竣工投產(chǎn),為SiC材料及器件領(lǐng)域發(fā)展注入新動力。

產(chǎn)能可觀,多個項目進入量產(chǎn)前夜

在2023年的緊張建設(shè)后,部分項目在2024年迎來了驗收或投產(chǎn)的高光時刻,包括重投天科第三代半導(dǎo)體SiC材料生產(chǎn)基地、同光股份SiC襯底和粉體項目、斯科車規(guī)級SiC芯片模組項目、智新科技SiC模塊項目二期等。

其中,重投天科第三代半導(dǎo)體SiC材料生產(chǎn)基地于2月27日正式啟用。該項目總投資32.7億元,重點布局6英寸SiC單晶襯底和外延生產(chǎn)線,預(yù)計今年襯底和外延產(chǎn)能達25萬片。

今年3月,同光股份旗下的SiC襯底項目和粉體項目均順利通過驗收。該項目自2017年啟動規(guī)劃,歷時七年,于2024年3月順利完成驗收,意味著該項目全面投入生產(chǎn)已無障礙。

與此同時,斯科車規(guī)級SiC芯片模組項目正處于試生產(chǎn)階段,該項目達產(chǎn)后,將形成年產(chǎn)240萬套SiC半橋模塊的生產(chǎn)能力。在SiC產(chǎn)品加速上車趨勢下,該項目有望成為斯科半導(dǎo)體業(yè)績增長新引擎。

總結(jié)

SiC材料的供應(yīng)緊缺問題是過去幾年中限制SiC市場發(fā)展的主要因素之一,國內(nèi)外SiC相關(guān)廠商順勢開啟了洶涌的擴產(chǎn)潮,并延續(xù)到了2024年,賽達半導(dǎo)體、普興電子、東尼電子、罡豐科技等廠商圍繞襯底外延材料,紛紛開啟了年產(chǎn)能達數(shù)十萬片的大項目,將有助于緩解材料供不應(yīng)求的現(xiàn)狀。

而在大手筆的產(chǎn)能擴張背后亦蘊藏著價格下跌和產(chǎn)能過剩風(fēng)險,正在或計劃擴產(chǎn)的廠商們必須重視相關(guān)潛在風(fēng)險并積極調(diào)整應(yīng)對。在此情況下,在SiC襯底外延材料市場供應(yīng)趨于穩(wěn)定后,相關(guān)廠商將更多注意力轉(zhuǎn)移到器件、設(shè)備和終端應(yīng)用等方面,一定程度上將是更加明智的選擇,更有利于提升競爭力。

2024年以來,晶能微電子、臻驅(qū)半導(dǎo)體、揚杰科技、摩珂達、愛矽科技新簽約SiC功率器件/模塊項目,連城數(shù)控則新簽約SiC設(shè)備項目,都有望在對應(yīng)的細(xì)分賽道分一杯羹。

車用場景目前仍然是SiC最大應(yīng)用市場,圍繞車規(guī)級SiC產(chǎn)品,揚杰科技、泰科天潤、斯科半導(dǎo)體、智新科技、重慶三安等企業(yè)相關(guān)項目均取得了積極進展,有望加快車規(guī)級SiC產(chǎn)品國產(chǎn)替代進程。

2024年取得新進展的項目當(dāng)中,部分為在已有項目基礎(chǔ)上進行的擴建,也有部分項目主體在2024年首次規(guī)劃SiC相關(guān)項目,彰顯了SiC產(chǎn)業(yè)是一片投資興業(yè)的熱土,未來大概率將有更多廠商投建項目,也將有更多項目落地實施。

整體來看,SiC產(chǎn)業(yè)目前是一個快速成長的市場,各大廠商都意識到了規(guī)模的重要性,圍繞SiC全產(chǎn)業(yè)鏈開啟了宏偉的增資擴產(chǎn)計劃,可以預(yù)見,未來隨著市場規(guī)模不斷擴大,SiC產(chǎn)業(yè)的競爭將日益激烈。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Zac)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。