據(jù)韓媒報道，近日，韓國電子通信研究院（ETRI）宣布將啟動150nm氮化鎵（GaN）半導體本土代工試點服務。
source：拍信網(wǎng)
4月4日，ETRI公布了根據(jù)科學與信息通信技術(shù)部”電信用化合物半導體研究代工廠”項目開發(fā)的150nm GaN微波集成電路（MMIC）設計套件（PDK），并宣布將使用該套件進行代工服務。
報道指出，GaN半導體是下一代半導體核心材料和器件，它可用于隱身AESA雷達和6G通信，戰(zhàn)略意義十分重要。
據(jù)介紹，全球只有六家機構(gòu)有能力代工生產(chǎn)150nm GaN半導體。ETRI運營晶圓廠已達36年，積累了相應的化合物半導體技術(shù)，并成功開發(fā)出GaN半導體代工技術(shù)。其良品率和可靠性均處一線水準。
ETRI本月將接受多項目晶圓（MPW）服務的提案，該服務內(nèi)容是在單個晶圓上生產(chǎn)多個芯片設計。下半年，將選出四家公司提交第一輪代工服務設計。2025年和2026年ETRI將各選出四家公司并提供支持。
后續(xù)，ETRI將利用批量工藝技術(shù)和晶圓廠，為韓國4英寸GaN半導體制造企業(yè)提供與海外企業(yè)同等水平的服務，并能生產(chǎn)支持Ka波段（用于衛(wèi)星通信的微波頻率區(qū)域）的MMIC。
值得一提的是，ETRI 150nm代工服務下的器件和集成電路可在30千兆赫頻帶內(nèi)運行。（集邦化合物半導體Morty編譯）
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