Power Integrations推出史上最高電壓GaN開關(guān)IC

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 11 月 01 日 18:11 | 分類 功率

Power Integrations(PI)?近日發(fā)布了據(jù)稱是世界上最高電壓的單開關(guān)GaN電源 IC,采用1250V PowiGaN開關(guān)。

InnoSwitc3-EP 1250V IC是PI的InnoSwitch恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線反激式開關(guān)IC產(chǎn)品系列的最新成員。據(jù)悉,它具有同步整流和FluxLin安全隔離反饋功能,并且提供豐富的開關(guān)選項(xiàng),包括725V Si 開關(guān)、1700V SiC 開關(guān)以及其它衍生出的750V、900V和現(xiàn)在1250V耐壓的PowiGaN開關(guān)。

圖片來源:PI電源芯片

相比于Si基器件,PI專有的1250V PowiGaN技術(shù)的開關(guān)損耗不到其1/3,功率變換的效率可以達(dá)到93%,有助于實(shí)現(xiàn)高緊湊度的反激式電源設(shè)計(jì),且在高達(dá)85W輸出功率的情況下無需散熱片。

PI技術(shù)副總裁Radu Barsan表示:“PI不斷將高壓氮化鎵技術(shù)的開發(fā)和商業(yè)應(yīng)用推進(jìn)至業(yè)界最高水平。這甚至淘汰了業(yè)界最好的高壓Si MOSFET的使用。我們于2019年即率先向市場大批量出貨了基于GaN的電源IC產(chǎn)品,并于今年早些時(shí)候推出了基于GaN的900V的InnoSwitch新品。我們持續(xù)開發(fā)更高電壓的GaN技術(shù),比如本次推出的1250V新品。我們致力于將GaN的效率優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,包括目前使用SiC技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域?!?/p>

PI表示,設(shè)計(jì)人員可以放心地將新款I(lǐng)nnoSwitch3-EP 1250V IC使用在1000V的峰值工作電壓中,器件的絕對(duì)值可以滿足80%的行業(yè)降額標(biāo)準(zhǔn)。該器件為工業(yè)應(yīng)用提供了巨大的裕量,適用于具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境。(來源:PI電源芯片官微)

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