今（18）日，蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鍇威特”）成功登陸上交所科創(chuàng)板，發(fā)行價(jià)格為40.83元/股，截至成文，股價(jià)為88.94元/股，總市值達(dá)65.53億元。
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同花順
根據(jù)招股說(shuō)明書(shū)，鍇威特本次擬登陸上交所科創(chuàng)板，擬公開(kāi)發(fā)行股票數(shù)量不超過(guò)1,842.1053萬(wàn)股（不含采用超額配售選擇權(quán)發(fā)行的股票數(shù)量），且不低于發(fā)行后總股本的25%。
鍇威特本次擬募集資金約5.3億元，用于智能功率半導(dǎo)體研發(fā)升級(jí)項(xiàng)目、SiC功率器件研發(fā)升級(jí)項(xiàng)目、功率半導(dǎo)體研發(fā)工程中心升級(jí)項(xiàng)目、補(bǔ)充營(yíng)運(yùn)資金。
鍇威特
其中，智能功率半導(dǎo)體研發(fā)升級(jí)項(xiàng)目主要涉及公司的主營(yíng)產(chǎn)品功率器件、功率IC、IPM、光繼電器（Photo MOS）等系列產(chǎn)品的技術(shù)升級(jí)、工藝制程優(yōu)化及部分新品類(lèi)的研發(fā)及規(guī)模化量產(chǎn)。
功率器件主要包括高可靠性高壓平面MOSFET（包括FRMOS）、第三代超結(jié)MOSFET（SJMOS-FD）、40V-200V屏蔽柵MOSFET產(chǎn)品；功率IC包括高壓高速柵極驅(qū)動(dòng)IC、高功率密度電源管理IC產(chǎn)品。
該項(xiàng)目實(shí)施旨在繼續(xù)加強(qiáng)公司在功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的技術(shù)積淀，保持在功率器件、功率IC、IPM、光繼電器（Photo MOS）產(chǎn)品的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，挖掘高性能智能功率半導(dǎo)體的發(fā)展?jié)摿Γ蛟烊盗挟a(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新平臺(tái)，致力于成為市場(chǎng)一流的高性能、智能化功率半導(dǎo)體供應(yīng)商。
SiC功率器件研發(fā)升級(jí)項(xiàng)目主要涉及650V-1700V SiC MOSFET、650V-1700V SiC SBD工藝優(yōu)化、器件升級(jí)及SiC功率模塊的規(guī)?；慨a(chǎn)。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體研究處最新報(bào)告《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告-Part1》分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車(chē)、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.8億美元，年成長(zhǎng)41.4%。
與此同時(shí)，受惠于下游應(yīng)用市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源。
TrendForce集邦咨詢
鍇威特成立于2015年，專(zhuān)注于智能功率半導(dǎo)體器件與功率集成芯片。
鍇威特是上市公司甘化科工的參股公司。據(jù)甘化科工在2021年年報(bào)，鍇威特在2021年共實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入2.10億元，同比2020年的1.32億增長(zhǎng)了59.29%；凈利潤(rùn)為4,356.17萬(wàn)元，同比成功扭虧。
財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，公司2019年、2020年、2021年?duì)I收分別為1.07億元、1.37億元、2.10億元;同期對(duì)應(yīng)的歸母凈利潤(rùn)分別為933.81萬(wàn)元、-1966.86萬(wàn)元、4847.72萬(wàn)元。
2017年至今，鍇威特完成了多輪融資，投資方包括大唐電信、國(guó)經(jīng)資本、光榮資產(chǎn)、招商資本、邦盛資本、禾望電氣、悅豐金創(chuàng)、張家港金茂創(chuàng)投。
據(jù)介紹，公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制及高可靠領(lǐng)域，現(xiàn)已形成包括平面MOSFET、快恢復(fù)高壓MOSFET（FRMOS）、SiC功率器件、智能功率IC等近700款產(chǎn)品。
SiC方面，鍇威特自2018年下半年開(kāi)始研發(fā)SiC功率器件，積極布局第三代半導(dǎo)體，掌握了“短溝道碳化硅MOSFET器件系列產(chǎn)品溝道控制及其制造技術(shù)”等核心技術(shù)，形成了“一種集成肖特基二極管的短溝道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”等發(fā)明專(zhuān)利儲(chǔ)備。
目前鍇威特SiC功率器件產(chǎn)品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD，目前公司SiC MOSFET已形成650V-1700V四個(gè)電壓規(guī)格的產(chǎn)品系列，SiC SBD已形成600V-1200V電壓規(guī)格的產(chǎn)品系列。公司是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的具備650V-1700V SiC MOSFET設(shè)計(jì)能力的企業(yè)之一，產(chǎn)品已覆蓋業(yè)內(nèi)主流電壓段。（文：拓墣產(chǎn)業(yè)研究）
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