11月28日，據(jù)“連城數(shù)控”官微消息，近日連科半導(dǎo)體8吋碳化硅（SiC）電阻式長晶爐（型號：PVT-RS-40）在客戶現(xiàn)場完成批量驗(yàn)收。
與此同時，連科半導(dǎo)體還成功制備出了直徑超210毫米，厚度30毫米的8吋導(dǎo)電型碳化硅晶體，晶體表面光滑無缺陷。
source：連城數(shù)控
據(jù)介紹，連科半導(dǎo)體的8吋碳化硅電阻式長晶爐，通過石墨電阻發(fā)熱，熱輻射傳導(dǎo)石墨坩堝進(jìn)行加熱，可調(diào)整石墨加熱器的結(jié)構(gòu)，有效的進(jìn)行分區(qū)功率控制和溫場的控制，更適合生長大尺寸的碳化硅晶體。
值得一提的是，今年10月底，連科半導(dǎo)體的液相法碳化硅(感應(yīng))加熱長晶爐及液相法碳化硅電阻加熱長晶爐已在客戶現(xiàn)場完成驗(yàn)收。
連城數(shù)控表示，液相法技術(shù)在細(xì)分領(lǐng)域的優(yōu)勢逐步凸顯，尤其適用于生長P型碳化硅襯底，不僅可以實(shí)現(xiàn)生長低位錯密度、高品質(zhì)的碳化硅晶片，還能顯著提升碳化硅晶片的生產(chǎn)成品率并降低成本。
目前來看，液相法長晶技術(shù)已然成為技術(shù)和產(chǎn)業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。然而，在產(chǎn)業(yè)化落地的道路上還需設(shè)備制造商與襯底生產(chǎn)商高度協(xié)作與配合，共同推進(jìn)國內(nèi)液相法技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。（來源：連城數(shù)控、集邦化合物半導(dǎo)體整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。