碳化硅設備廠商優(yōu)睿譜完成新一輪數(shù)千萬元融資

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 07 月 25 日 15:45 | 分類 產(chǎn)業(yè)

7月25日,優(yōu)睿譜宣布,其于近日完成新一輪數(shù)千萬元融資,本輪融資由君子蘭資本領(lǐng)投,境成資本、琢石投資、南通海鴻金粟等跟投。這是繼2023年12月的A+輪融資后,優(yōu)睿譜完成的又一輪融資。截至目前,成立于2021年9月的優(yōu)睿譜已相繼完成5輪融資。

source:天眼查

優(yōu)睿譜表示,本輪融資將用于晶圓邊緣檢測設備SICE200、晶圓電阻率量測設備SICV200、晶圓位錯及微管檢測設備SICD200、多種半導體材料膜厚測量設備Eos200DSR等多款設備的量產(chǎn),新布局產(chǎn)品的研發(fā)以及團隊的擴充。

優(yōu)睿譜持續(xù)擴展碳化硅相關(guān)設備產(chǎn)品線

早在2022年6月初,優(yōu)睿譜首臺半導體專用FTIR(傅立葉變換紅外光譜)測量設備Eos200就已正式交付客戶,目前該設備已通過客戶測試,正式在客戶端上線使用。

2023年,優(yōu)睿譜推出了碳化硅襯底晶圓位錯及微管檢測設備SICD200和晶圓電阻率量測設備SICV200。其中,SID200可實現(xiàn)碳化硅位錯檢測的整片晶圓全檢測,并已獲境外顧客訂單;SICV200可用于硅片電阻率、碳化硅或其它半導體材料摻雜濃度的測量,已得到多家客戶的訂單。

今年6月,優(yōu)睿譜又成功交付客戶一款晶圓邊緣檢測設備SICE200,該設備可兼容6/8英寸碳化硅/硅襯底和外延晶圓邊緣檢測,也適用于其他化合物襯底及外延晶圓的邊緣缺陷檢測,可同時實現(xiàn)對晶圓360°檢測,擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的光機系統(tǒng)可實現(xiàn)高分辨率、高檢出率及高檢測速率。

據(jù)悉,優(yōu)睿譜研發(fā)的一系列半導體前道量測設備是半導體芯片制造過程中的核心設備之一,技術(shù)門檻高,對提高產(chǎn)品良率、降低生產(chǎn)成本、推進工藝迭代起著重要作用。隨著國內(nèi)半導體行業(yè)的快速發(fā)展,對前道量測設備的需求量持續(xù)走高,優(yōu)睿譜順勢進行了一系列產(chǎn)品布局。

在第三代半導體碳化硅產(chǎn)業(yè)日益火熱的趨勢下,為滿足市場需求,優(yōu)睿譜近兩年推出的設備產(chǎn)品基本都適用于碳化硅領(lǐng)域,因此也得到了一部分訂單。

融資、出貨、擴產(chǎn),碳化硅設備廠商有點忙

受益于碳化硅產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,作為一家碳化硅設備廠商,優(yōu)睿譜近期在融資、研發(fā)、出貨等方面動作頻頻,忙得不亦樂乎,同行們也都不遑多讓。

融資方面,一塔半導體(ETA-Semitech)在6月初完成數(shù)千萬Pre-A輪融資,投資方為合肥海恒科創(chuàng)產(chǎn)投基金及相關(guān)產(chǎn)業(yè)投資人。一塔半導體致力于半導體制程設備的研發(fā),目前已成功研發(fā)外延系統(tǒng)(MOCVD)和退火系統(tǒng)(激光退火/RTP),擁有碳化硅/氮化鎵外延生長方案,快速熱處理(RTA)、熱氧化(RTO)、熱氮化(RTN)、離子注入退火、金屬合金、功率芯片背面激光退火等解決方案。

而在今年5月,思銳智能完成了最新一輪融資,投資方包括青松資本、中金資本、中車四方所、中車資本、石溪資本、千帆資本等知名機構(gòu)。思銳智能主要聚焦關(guān)鍵半導體前道工藝設備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,產(chǎn)品有原子層沉積鍍膜(ALD)設備、薄膜電發(fā)光顯示器(LDI)設備以及離子注入(IMP)設備三大產(chǎn)品系列,廣泛應用于第三代半導體等領(lǐng)域。

市場拓展方面,7月16日,愛思強宣布安世半導體訂購了愛思強用于8英寸碳化硅量產(chǎn)的新型G10-SiC設備,安世半導體還訂購了愛思強的G10-GaN設備;同在7月16日,Aehr宣布,一家碳化硅測試和預燒客戶向其訂購了多套WaferPak?全晶圓接觸器,用于滿足電動汽車市場碳化硅功率半導體晶圓級預燒和篩選的生產(chǎn)需求,預計將在未來三個月內(nèi)交付;今年上半年在不到一個月時間內(nèi),Axcelis已完成三起碳化硅設備訂單的出貨。

技術(shù)研發(fā)和擴產(chǎn)方面,7月11日,河北正定縣與晶馳機電舉行半導體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項目簽約儀式。目前,晶馳機電產(chǎn)品包括6英寸、8英寸水平進氣和6英寸及8英寸兼容型垂直進氣碳化硅外延設備(LPCVD法)、碳化硅源粉合成爐等;7月17日,晶升股份在投資者互動平臺表示,其現(xiàn)已完成了兩類碳化硅產(chǎn)業(yè)核心設備的前期開發(fā)工作,目前處于內(nèi)部測試及客戶端工藝測試階段。

在碳化硅產(chǎn)業(yè)近期的融資、簽單、出貨、新品研發(fā)、IPO等各類進展動態(tài)當中,都可以看到各大設備廠商的身影,在一定程度上顯示了碳化硅設備細分領(lǐng)域蓬勃發(fā)展現(xiàn)狀和光明發(fā)展前景。

小結(jié)

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,使得產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商雨露均沾,都得到了拓展業(yè)務的機會,設備企業(yè)也在其中。無論是上游的材料合成,還是中游的器件制造,都離不開設備的支撐。

在近幾年碳化硅領(lǐng)域大規(guī)模擴產(chǎn)進程中,相關(guān)設備廠商已然吃到了一波紅利,而8英寸轉(zhuǎn)型過程中持續(xù)釋放的市場需求,有望使得設備廠商持續(xù)獲得業(yè)績增量。未來相當長一段時間內(nèi),碳化硅設備玩家的好戲仍將輪番上演。(文:集邦化合物半導體Zac)

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