近日，長飛先進武漢基地項目、嘉盛半導體蘇州封測新基地、摩珂達SiC功率器件及電子產品制造項目同時傳出利好消息。
圖片來源：拍信網正版圖庫
長飛先進武漢基地項目預計明年7月投產
近日，據“湖北新聞”透露，長飛先進武漢基地項目預計今年6月封頂，明年7月投產，達產后預計可年產36萬片6英寸SiC晶圓及外延、年產6100萬個功率器件模塊。
該項目進度方面，2023年8月，長飛先進半導體與武漢東湖高新區(qū)管委會正式簽署了第三代半導體功率器件研發(fā)生產基地項目合作協議。一個月后，長飛先進半導體武漢基地開工。當時消息，該項目總投資預計200億元，一期總投資100億元，可年產36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等。一期項目預計2025年建設完成。
值得一提的是，2023年5月，長飛先進半導體明確提出“All?in?SiC-十年黃金賽道”的發(fā)展戰(zhàn)略，全面發(fā)力SiC賽道。當年7月，長飛先進半導體SiC戰(zhàn)略項目（KO）A樣品達到預期設計目標，標志著長飛先進半導體擁有車規(guī)級SiC MOSFET產品自主研發(fā)能力。
據了解，長飛先進擁有完全自主知識產權的1200V Gen3 SiC MOSFET設計及工藝平臺，15mohm產品比導通電阻（Ron，sp）已達3.4mΩ·cm2，躋身國際先進水平。除此之外，長飛先進基于該平臺的主驅SiC MOSFET晶圓產品良率達80%。
2023年12月，長飛先進首顆自研產品1200V 20A SiC SBD正式進入試產階段，標志著長飛先進已具備SiC產品自主研發(fā)及量產能力。
此外，據長飛先進SiC產品部總經理胡學清此前透露，長飛先進正在籌建SiC功率器件應用實驗室，計劃與安徽省內新能源產業(yè)深化合作，協同發(fā)展，合力打造SiC產業(yè)生態(tài)圈。
嘉盛半導體蘇州封測新基地計劃年底竣工
近日，據“蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布”消息，嘉盛先創(chuàng)科技（蘇州）有限公司（以下簡稱嘉盛先創(chuàng)科技）新建集成電路封裝測試生產項目廠房、辦公樓等于近期完成主體封頂，二次結構施工及外圍護施工等工作正加快推進。
據悉，該項目占地面積100畝，規(guī)劃廠房面積約14萬平方米，主要專注于SiC、GaN、汽車電子等先進封裝。該基地分兩期投資建設，其中一期于2022年8月開工，計劃于今年年底竣工，2025年初試運營，將成為嘉盛半導體蘇州封測新基地。
資料顯示，嘉盛半導體成立于1972年，總部位于馬來西亞，是一家半導體封裝與測試供應商。嘉盛半導體（蘇州）有限公司成立于2002年3月，量產生產開始于2004年，廠房面積56000平方米。2022年2月，嘉盛先創(chuàng)科技在蘇相合作區(qū)注冊成立，注冊資本8000萬美元。嘉盛半導體（蘇州）有限公司和嘉盛先創(chuàng)科技均由嘉盛控股 (香港) 有限公司全資控股。
摩珂達SiC功率器件及電子產品制造項目簽約
3月27日，浙江省嘉興國家高新區(qū)（高照街道）一季度重大項目集中簽約儀式舉行?；顒蝇F場，2個總投資超50億元的瓷新半導體材料總部項目、摩珂達SiC功率器件及電子產品制造項目完成簽約。
值得一提的是，不久前，嘉興國家高新區(qū)還簽約另一個SiC項目。今年2月消息，嘉興國家高新區(qū)SiC半橋模塊制造項目簽約。該項目由晶能微電子與星驅技術團隊共同出資設立，重點布局車規(guī)SiC半橋模塊。
該項目總投資約10億元，投資建設年產90萬套SiC半橋模塊制造生產線及相關配套，投產后預計實現年產值約12.5億元。
據晶能微電子CEO潘運濱透露，該項目是在去年晶能微電子投資50.17億元建設晶圓和模塊生產線基礎上，聯合合作伙伴，針對新的市場需求和產品類型做的新一輪擴產投資。（集邦化合物半導體Zac整理）
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