Author Archives: huang, Mia

8.33億，Qorvo碳化硅子公司被安森美收購
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 10 日 17:59 | 分類 企業(yè)
12月10日，安森美宣布與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元（折合人民幣約8.33億元）現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）技術(shù)業(yè)務(wù)，包括其子公司United Silicon Carbide（UnitedSiC）。該交易需滿足慣例成交條件，預(yù)計將于2025年第一...  [詳內(nèi)文]

估值超234億，英諾賽科通過港交所聆訊
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 10 日 17:58 | 分類 企業(yè)
12月9日，港交所披露文件，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”或“公司”）通過聆訊，中金公司、招銀國際為聯(lián)席保薦人。 據(jù)悉，港股IPO流程一般包括遞表-聆訊-路演-招股-公布配售結(jié)果-暗盤交易以及掛牌上市等階段。 其中，在聆訊階段，上市委員會審閱新上市申請，...  [詳內(nèi)文]

9.26億，北京瑞能6英寸功率半導(dǎo)體晶圓廠房完工
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 09 日 17:59 | 分類 功率
據(jù)“順義科創(chuàng)”官微披露消息，近日，瑞能微恩半導(dǎo)體（北京）有限公司廠房項目已完成全部施工內(nèi)容，擴建工程已通過竣工驗收。 source：順義科創(chuàng) 據(jù)悉，2021年12月15日，瑞能微恩半導(dǎo)體科技（北京）有限公司在順義落地，租用科創(chuàng)芯園壹號建設(shè)“6英寸車規(guī)級功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)基地建設(shè)...  [詳內(nèi)文]

2025全國氧化鎵及相關(guān)材料與器件學(xué)術(shù)交流會邀請函
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 05 日 15:04 | 分類 企業(yè)
邀 請 函 尊敬的各位專家、學(xué)者和同仁： 為搭建氧化鎵材料與器件研究領(lǐng)域科研技術(shù)人員相互交流與合作的平臺，促進氧化鎵學(xué)術(shù)、技術(shù)的交流合作和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，展示相關(guān)領(lǐng)域最新研究成果，進一步推動相關(guān)領(lǐng)域基礎(chǔ)研究和應(yīng)用技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新發(fā)展。為此我單位定于2025年1月16-19日在海南省*三亞...  [詳內(nèi)文]

東部高科將與封測廠合作開發(fā)碳化硅/氮化鎵
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 04 日 17:58 | 分類 企業(yè)
東部高科將與封測廠合作開發(fā)碳化硅/氮化鎵 據(jù)韓媒報道，12月4日，韓國半導(dǎo)體封裝企業(yè)LB Semicon與晶圓代工廠DB HiTek（東部高科）宣布，雙方將合作開發(fā)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）產(chǎn)品。 目前，東部高科正在推進SiC和GaN半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，而LB Semicon也計...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體獲碳化硅模塊新訂單
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 03 日 17:55 | 分類 企業(yè)
12月3日，意法半導(dǎo)體和雷諾集團達成了一項多年期協(xié)議——作為雙方在Amper超高效電動動力系統(tǒng)逆變器電源盒方面合作的一部分，從2026年開始，意法半導(dǎo)體將為雷諾集團供應(yīng)碳化硅 (SiC) 功率模塊。 據(jù)悉，Ampere是由意法半導(dǎo)體和雷諾集團共同打造的電動汽車智能制造商。后續(xù)，A...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科上市備案通過
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 02 日 17:55 | 分類 產(chǎn)業(yè)
11月27日，英諾賽科收到中國證監(jiān)會發(fā)布的《關(guān)于英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司境外發(fā)行上市備案通知書》，這意味著其已完成了證監(jiān)會境外發(fā)行上市備案流程，并且獲得了證監(jiān)會對其境外發(fā)行上市及股份轉(zhuǎn)換的確認(rèn)。 文件顯示，英諾賽科擬發(fā)行不超過106,539,400股境外上市普通股并在...  [詳內(nèi)文]

102億，日本2家半導(dǎo)體大廠合作生產(chǎn)碳化硅
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 29 日 17:13 | 分類 企業(yè)
11月29日，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省宣布，將為日本電裝與富士電機共同投資的碳化硅（SiC）半導(dǎo)體項目提供補貼，該項目投資額達2116億日元（折合人民幣約102億元），補助金額最高達705億日元（折合人民幣約34億元）。 據(jù)悉，在此次合作中，電裝將負(fù)責(zé)生產(chǎn)SiC襯底，而富士電機將負(fù)責(zé)制造S...  [詳內(nèi)文]

連科半導(dǎo)體8吋碳化硅電阻式長晶爐獲得數(shù)十臺批量驗收
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 28 日 17:50 | 分類 產(chǎn)業(yè)
11月28日，據(jù)“連城數(shù)控”官微消息，近日連科半導(dǎo)體8吋碳化硅（SiC）電阻式長晶爐（型號：PVT-RS-40）在客戶現(xiàn)場完成批量驗收。 與此同時，連科半導(dǎo)體還成功制備出了直徑超210毫米，厚度30毫米的8吋導(dǎo)電型碳化硅晶體，晶體表面光滑無缺陷。 source：連城數(shù)控 據(jù)介紹...  [詳內(nèi)文]

晶馳機電碳化硅外延設(shè)備相關(guān)項目投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 27 日 17:58 | 分類 功率
據(jù)平湖新埭官微消息，11月26日上午，晶馳機電半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項目投產(chǎn)儀式在浙江嘉興市新埭鎮(zhèn)舉行。 據(jù)悉，該項目由晶馳機電（嘉興）有限公司作為實施主體。公司成立于2023年，主要從事碳化硅、金剛石、氮化鋁等第三代、第四代半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司分別與浙江大學(xué)杭州國...  [詳內(nèi)文]