近日，國家科技部公布了2022年國家重點研發(fā)計劃立項資助名單。55所牽頭承擔的“寬帶射頻功率放大器”項目成功獲批。
“寬帶射頻功率放大器”項目基于第三代半導體GaN開展超寬帶射頻功率管的設計與制造研究，計劃研究一套寬頻帶射頻功率放大器，實現(xiàn)寬帶射頻功放在超高場磁共振的工程應用，為提升我國科學儀器自主創(chuàng)新能力和裝備水平提供強力支撐。
國家重點研發(fā)計劃項目是針對事關國計民生的重大社會公益性研究，以及事關產(chǎn)業(yè)核心競爭力、整體自主創(chuàng)新能力和國家安全的戰(zhàn)略性、基礎性、前瞻性重大科學問題、重大共性關鍵技術和產(chǎn)品，為國民經(jīng)濟和社會發(fā)展主要領域提供持續(xù)性的支撐和引領。
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此次55所牽頭承擔國家重點研發(fā)計劃項目，進一步體現(xiàn)了在第三代半導體領域的優(yōu)勢地位。后續(xù)，項目團隊將堅持“四個面向”，集聚力量進行原創(chuàng)性引領性科技攻關，持續(xù)開拓創(chuàng)新，突破關鍵技術，加快實現(xiàn)高水平科技自立自強。
值得注意的是，就在上周，中國電科48所第三代半導體裝備研發(fā)取得重大突破，牽頭申報的“大尺寸超高真空分子束外延技術與裝備”項目，獲得國家科技部“高性能制造技術與重大裝備”重點專項立項。
項目將由48所聯(lián)合國內(nèi)高校、研究所及專業(yè)公司協(xié)同攻關，利用48所的技術優(yōu)勢，充分發(fā)揮國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（湖南）平臺作用，奮力突破一批關鍵核心技術與工藝難題，為實現(xiàn)我國MBE技術和裝備的跨越式發(fā)展提供有力支撐。（文：集邦化合物半導體 Cecilia整理）
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