日本的東京農(nóng)工大學(xué)與日本酸素控股株式會(huì)社CSE（下文簡(jiǎn)稱“日本酸素”）開(kāi)發(fā)出了新一代功率半導(dǎo)體氧化鎵（GaO）的低成本制法。
利用氣體供應(yīng)原料，在基板上制造晶體，可以減少設(shè)備的維護(hù)頻率，也可以降低運(yùn)營(yíng)成本。
日本酸素正在將制作設(shè)備商用化，做到隨時(shí)可向客戶供貨。
這種作方法屬于“有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積（MOCVD）法”，通過(guò)在密閉裝置內(nèi)充滿氣體狀原料，在基板上制造出GaO的晶體。該方法與現(xiàn)有的氫化物氣相外延（HVPE）制法相比，可以制作更高頻率器件。
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據(jù)悉，GaO的耐壓性超過(guò)SiC和GaN這兩種材料，其可以在降低電力轉(zhuǎn)換時(shí)的損耗。GaO有望用于純電動(dòng)汽車（EV）、白色家電及光伏發(fā)電等領(lǐng)域。
并且，其彌補(bǔ)了傳統(tǒng)的氫化物氣相外延法，難以與高電子遷移率晶體管所需的鋁進(jìn)行混晶的缺點(diǎn)。GaO晶體除了可以用于制造功率元件，還可以制作“高電子遷移率晶體管（HEMT）”，供通訊設(shè)備使用。
與原先的方法相比，東京農(nóng)工大等團(tuán)隊(duì)通過(guò)MOCVD方法，將GaO晶體的生長(zhǎng)速度提高至每小時(shí)約16微米，速度提升了16倍。東京農(nóng)工大學(xué)教授熊谷義直表示：“MOCVD方法與HVPE方法屬于并列關(guān)系”。
目前，已經(jīng)有幾家企業(yè)實(shí)現(xiàn)了實(shí)用化，根據(jù)富士經(jīng)濟(jì)提供的數(shù)據(jù)顯示，到2023年GaO市場(chǎng)可達(dá)到470億日元（折合人民幣約23.1億）。
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