臺亞半導體擬分拆8英寸GaN事業(yè)群,或將獨立上市

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 04 月 12 日 18:18 | 分類 氮化鎵GaN

自2023年英飛凌收購GaN Systems以來,氮化鎵(GaN)領域的競爭格局便開始發(fā)生變化,在近一年多起出售、并購、倒閉案出現(xiàn)之后,市場動蕩的局面達到了一個新的高點,并且目前仍在發(fā)酵中。近日,又有一家公司宣布擬調整GaN業(yè)務,但值得注意的是,此消息背后隱藏著積極的信號。

臺亞半導體擬分拆GaN事業(yè)群,或將獨立上市

4月11日,臺亞半導體召開董事會,會上宣布擬分割8英寸GaN事業(yè)群,包括相關資產與業(yè)務,分割后由旗下全資子公司冠亞半導體承接,并且由后者發(fā)行新股予以臺亞半導體作為對價。分割日期暫定在8月30日,5月28日將提送股東常會討論決議。

圖片來源:臺亞半導體

臺亞半導體介紹,本次預計分割價值約10億元新臺幣(約合人民幣2.24億元),8英寸GaN業(yè)務分割給冠亞半導體之后,臺亞半導體自身的相關運營及業(yè)務皆正常運作,對原有股東之權利義務均無影響。

臺亞半導體原名光磊,起步于光電產業(yè)感測元件市場,后于2021年10月正式改名臺亞半導體,表明轉型感測半導體先進廠商的決心。隨著SiC/GaN等第三代半導體市場需求及投資熱情逐步提升,臺亞半導體亦積極搶攻第三代半導體市場。

其中,SiC業(yè)務由旗下子公司積亞半導體負責,主要生產SiC晶圓,產能目標為5000片/月。硅基GaN業(yè)務由臺亞半導體經營,產能建設初期以6英寸晶圓為主,已于2023年7月順利試產GaN功率元件。同時,臺亞半導體積極建設8英寸GaN產線,計劃開發(fā)E-mode 650V HEMT功率元件,聚焦3C快充、云端信息存儲中心、電動車、無人機市場應用,預計2024年底前實現(xiàn)3000片/月的出貨量。

臺亞半導體總經理衣冠君表示,公司已與許多客戶進行相關產品的可靠性驗證,客戶反饋的驗證結果良好,并表示可媲美一線大廠,目前整個GaN事業(yè)群發(fā)展進度超前。

針對臺亞半導體此舉,業(yè)界預計,其目的是推動GaN事業(yè)群上市IPO計劃。實際上,該推測確與臺亞半導體當前的發(fā)展規(guī)劃相符。據了解,臺亞半導體2022年已將面板組裝與系統(tǒng)開發(fā)業(yè)務分割出去,成立了子公司光磊先進顯示并規(guī)劃上市;除此之外,視覺顯示、IC設計、人工智能(AI)檢測等子公司也將分批推動上市計劃。

本次分割之后,臺亞半導體的GaN業(yè)務有望獲得更大的發(fā)展空間,產品開發(fā)與驗證、量產應用的進程將加快,而集團資源也將進一步整合,助力各子公司業(yè)務取得長足的發(fā)展。

市場集中度提升,GaN市場發(fā)展雖慢但穩(wěn)

今年以來,GaN領域似乎傳來了不少消極的消息:美國垂直GaN半導體技術生產商NexGen Power Systems、新加坡射頻GaN芯片供應商Gallium Semiconductor相繼宣布倒閉,而美國垂直GaN器件廠商Odyssey隨后也宣布出售公司資產。

盡管這些消息反映GaN市場經營遇到困境的事實,但從資源分配的角度來看,小廠的退出有利于資源進一步向有實力的大廠集中,GaN技術的潛力能夠更快地被挖掘出來,這一點從兩起大型并購案可窺知一二。

業(yè)界皆知,GaN市場兩大主力GaN Systems及Transphorm已相繼并入功率半導體巨頭英飛凌和半導體芯片大廠瑞薩電子,在綜合能力、技術共享、客戶資源、成本管控等方面都獲得了明顯的提升,有望發(fā)揮1+1>2的效果。并且,目前包括英飛凌、瑞薩電子等在內的各大廠商對于能源轉型期下GaN的發(fā)展前景依舊持著樂觀、看好的態(tài)度。

從實際進展來看,GaN技術在電動車、光儲充等高壓高功率市場的應用越來越值得期待。據集邦化合物半導體此前不完全統(tǒng)計,GaN主要玩家PI、納微半導體、英諾賽科、GaN Systems、Transphorm、VisIC及博世等2023年在車用GaN市場取得了實質性的成果。

另外,GaN技術去年也進一步打開了光伏儲能應用市場,例如,大恒能源的光伏微型逆變器將采用Transphorm的GaN器件,而英諾賽科、EPC及鎵未來也在積極推廣光伏儲能用GaN技術,布局相關產品線。

在此基礎上,高壓GaN技術領域也不斷傳來好消息,越來越多廠商加入研發(fā)1200V及以上,以及基于藍寶石襯底的GaN技術。

比如,GaN器件廠商致能科技開發(fā)了1200V D-Mode高可靠性GaN器件平臺。據悉,該平臺在滿足1200V系統(tǒng)可靠性條件下,本征擊穿已達到2400V,可匹配工業(yè)、新能源、汽車等領域的需求。該公司近日還成功開發(fā)了8英寸藍寶石基GaN HEMTs晶圓,有助于1200V-3300V高壓GaN平臺的實現(xiàn)。

從大廠的擴產、產品布局動態(tài)及技術領域的進展來看,GaN技術在電動車、工業(yè)、數(shù)據中心等更高功率市場的應用雖進展較緩慢,但一直在穩(wěn)步前進。目前臺亞半導體的業(yè)務發(fā)展效果以及此次的分割之舉也可以作為一個有力的佐證。隨著技術的進步、成本的下降與產業(yè)生態(tài)的調整,相信GaN領域將迎來一番新的景象。(文:集邦化合物半導體Jenny)

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