直擊SNEC 2024:13家SiC功率器件廠商亮點一覽

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 06 月 18 日 18:00 | 分類 展會

6月13-15日,SNEC第十七屆(2024)國際太陽能光伏與智慧能源大會暨展覽會在國家會展中心(上海)舉辦。本屆展會匯聚了超過3500家全球光伏產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè),共同展示最前沿的科技成果和技術(shù)產(chǎn)品。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解,此次上海光伏展,三安半導(dǎo)體、士蘭微、鍇威特、基本半導(dǎo)體、杰平方、芯聯(lián)集成、瑞能半導(dǎo)體、飛锃半導(dǎo)體、阿基米德半導(dǎo)體、宏微科技、矽迪半導(dǎo)體、派恩杰、蘇州固锝等13家廠商帶來了豐富多樣的SiC功率器件產(chǎn)品,應(yīng)用范圍涵蓋新能源汽車、光儲充、工業(yè)控制等多個領(lǐng)域。

三安半導(dǎo)體

本次展會,三安半導(dǎo)體帶來了SiC晶錠、襯底、外延、芯片、器件等全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品。

展會現(xiàn)場,三安半導(dǎo)體重點展示了8英寸SiC晶圓,以及可應(yīng)用在光伏逆變器、儲能變流器、充電樁電源模塊等領(lǐng)域的650V-1700V SiC二極管和MOSFET,包含多種封裝類型及規(guī)格型號。

士蘭微

本次光伏展,士蘭微展示了應(yīng)用于光伏場景的SiC MOS、IGBT、DPMOS、SGT LVMOS等功率器件產(chǎn)品。

其中,士蘭微推出的1200V SiC芯片性能指標已達到國際先進水平,并同時研發(fā)650V、1700V、2000V等電壓段高性能SiC MOSFET芯片,包含TO-247B-4L、TO-263-7L、TOLL、D4等多種封裝形式,適配光伏儲能逆變器應(yīng)用場景。

華潤微

本次展會,華潤微重點展示了SiC MOS模塊。

source:華潤微

華潤微展示的SiC MOS模塊可應(yīng)用于電動汽車充電器、太陽能、高速轉(zhuǎn)換器、逆變器、電機和牽引驅(qū)動器、智能電網(wǎng)、并網(wǎng)分布式發(fā)電、車載OBC、汽車主驅(qū)等領(lǐng)域,具有低Rdson、低Qg、超低損耗、高頻工作等特點。

鍇威特

本次展會,鍇威特帶來了超結(jié)MOSFET、中高壓平面MOSFET、650-1700V SiC MOSFET、600-1200V SiC SBD、智能功率IC等系列產(chǎn)品。

其中,鍇威特全新的第三代SiC SBD產(chǎn)品,結(jié)合先進的薄片技術(shù)和抗浪涌技術(shù),在顯著提升產(chǎn)品電流密度、降低正向?qū)▔航档耐瑫r,仍保持高的浪涌電流以及低的反向漏電。合理的可靠性設(shè)計及規(guī)范的產(chǎn)品管控,使產(chǎn)品能穩(wěn)定工作于多種嚴苛工況下,在650-1200V電壓等級滿足各種應(yīng)用需求。

同時,鍇威特量產(chǎn)的平面型SiC MOSFET,立足于6英寸SiC功率芯片工藝線,優(yōu)化元胞結(jié)構(gòu)和柵氧工藝,產(chǎn)品具有更高的阻斷電壓、更高的開關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小系統(tǒng)電感、電容、變壓器等無源器件的尺寸,提高系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率。該系列產(chǎn)品支持15V-18V棚極驅(qū)動電壓,最高結(jié)溫高達175℃。

基本半導(dǎo)體

此次展會,基本半導(dǎo)體攜2000V/1700V系列高壓SiC MOSFET、第三代SiC MOSFET、工業(yè)級SiC功率模塊Pcore? 2 E1B、工業(yè)級SiC半橋頂部散熱MOSFET模塊等系列新品,以及旗下全系列SiC二極管、門極驅(qū)動芯片、功率器件驅(qū)動器等產(chǎn)品亮相。

其中,基本半導(dǎo)體展出的Pcore? 2 E1B工業(yè)級SiC半橋MOSFET模塊,產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、PressFit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB,在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

杰平方

本次展會,杰平方半導(dǎo)體帶來了第三代SiC MOSFET和SBD、工業(yè)級SiC功率模塊、1200V 8mΩ SiC晶圓等系列產(chǎn)品,展示了杰平方半導(dǎo)體在SiC領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)實力。

芯聯(lián)集成

本次展會,芯聯(lián)集成帶來了650V-2300V SiC MOSFET系列產(chǎn)品,該系列產(chǎn)品具備低導(dǎo)通損耗,低開關(guān)損耗;高可靠性,通過車規(guī)級驗證;參數(shù)一致性好,良率高等特點。在工業(yè)控制方面,可應(yīng)用于光伏、儲能、充電樁、輸配電等場景;在汽車電子方面,可應(yīng)用于OBC、DC-DC、逆變器等產(chǎn)品中。

瑞能半導(dǎo)體

本次展會,瑞能半導(dǎo)體展示了SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊等系列產(chǎn)品。

飛锃半導(dǎo)體

此次展會,飛锃半導(dǎo)體帶來了一系列創(chuàng)新成果,涵蓋第三代1200V SiC MOSFET、750V SiC? MOSFET、1200V大電流SiC二極管、6英寸SiC MOSFET晶圓等產(chǎn)品,以及在光伏儲能、新能源汽車等領(lǐng)域的前沿應(yīng)用解決方案。

其中,飛锃半導(dǎo)體針對新能源汽車的創(chuàng)新應(yīng)用方案,利用車規(guī)級1200V與650V SiC MOSFET,為智能汽車打造安全、高效、智能的核心動力系統(tǒng)。

宏微科技

本次展會,宏微科技展示了1200/20A SiC SBD系列產(chǎn)品。

宏微科技推出的風光儲功率器件產(chǎn)品,具有高度的可靠性和優(yōu)異的性能,能夠滿足新能源行業(yè)對高效、安全、可靠的電力轉(zhuǎn)換和控制的需求。此外,宏微科技的風光儲功率器件產(chǎn)品還具有廣泛的適用性,可廣泛應(yīng)用于太陽能光伏電站、風力發(fā)電站、儲能系統(tǒng)等場景。

矽迪半導(dǎo)體

本次展會,矽迪半導(dǎo)體展示了高性能和差異化的SiC系統(tǒng)解決方案,包括30KW Buck-Boost全SiC解決方案、40KW xBooster IGBT并聯(lián)SIC MOSFET解決方案等,可應(yīng)用于光伏逆變器、儲能逆變器、工業(yè)電源等場景。

阿基米德半導(dǎo)體

本次展會,阿基米德半導(dǎo)體展示了SiC MOSFET/IGBT單管、半橋IGBT模塊、三電平IGBT模塊、SiC模塊等眾多產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于直流快充/超充、工業(yè)電源、感應(yīng)加熱、光伏逆變器、儲能PCS、新能源汽車等領(lǐng)域。

其中,對于215KW儲能,現(xiàn)有產(chǎn)品體積大、效率低,阿基米德推出的1200V 400A混合SiC單模塊解決方案,助力縮小產(chǎn)品體積,提升功率密度,同時集成SiC器件,大幅度降低了功率損耗,提升了充放電效率,模塊滿載效率高達99%。

派恩杰

本次展會,派恩杰半導(dǎo)體帶來了SiC功率器件、芯片設(shè)計路線以及1700V高壓器件應(yīng)用方案等系列產(chǎn)品,為工業(yè)應(yīng)用以及新能源車用方案等提供了一個新的方向。

其中,派恩杰半導(dǎo)體在650V、1200V、1700V三個電壓平臺已發(fā)布100余款不同型號的SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊和GaN HEMT產(chǎn)品。派恩杰半導(dǎo)體的量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動汽車,IT設(shè)備電源、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域廣泛使用,為Tier 1廠商持續(xù)穩(wěn)定供貨。

蘇州固锝

本次展會,蘇州固锝帶來了光伏旁路二極管在太陽能面板集線盒、以及功率二極管、MOS管、IGBT、SiC SBD等功率器件在光伏逆變器、輔助電源等新能源市場的應(yīng)用方案。

除上述SiC功率器件廠商外,連城數(shù)控、晶升股份、晶盛機電、宇晶股份、先導(dǎo)智能、微導(dǎo)納米、高測股份、弘元綠能、邁為股份等SiC設(shè)備相關(guān)廠商也在本次上海光伏展上精彩亮相,這些廠商將共同推動SiC產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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