8月29日，為期三天的PCIM Asia 2023上海國際電力元件、可再生能源展覽會在上海新國際博覽中心盛大開幕。
展覽范圍包括功率半導體、集成電路、被動元件、電磁及磁性材料、散熱管理、傳感器、裝配和子系統(tǒng)、電氣傳動、功率轉換器、電能質量和儲能、測量和測試、軟件開發(fā)、信息及服務等，為各領域的行業(yè)人士提供了交流技術以及分享產業(yè)最新發(fā)展趨勢的平臺。
據TrendForce集邦咨詢化合物半導體研究中心了解到，此次展會，三菱電機、英飛凌、羅姆、安森美、富士電機、中車、東芝、Power Integrations、賽米控-丹佛斯等業(yè)內領先企業(yè)在會上展示了以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）為核心的最新研發(fā)成果和先進技術，面向工業(yè)、能源、汽車和消費電子等領域。
三菱電機
此次展會現(xiàn)場，三菱電機重點展示了用于工業(yè)新能源、軌道交通、電動汽車、家用電器等領域的功率半導體解決方案。
三菱電機目前正在開發(fā)下一代電動汽車專用功率模塊。該系列模塊擁有1300V和750V兩個電壓等級，分別采用SiC MOSFET和RC-IGBT芯片技術。同時該系列模塊將采用三菱電機擅長的壓注模工藝，在保證可靠性的同時，大大提升生產效率。
三菱還展示了高頻用混合SiC模塊等產品，有助于小型化輕量化，同時低電感封裝有助于減小浪涌電壓。
英飛凌
英飛凌本次設立了“綠色能源與工業(yè)”、“電動交通和電動出行”、“智能家居”三大主題展區(qū)，展示相應的功率半導體和寬禁帶技術方面的最新解決方案。
在電動交通和電動出行展區(qū)，英飛凌展示了HybridPACK? Drive產品系列、CoolGaN? SG HEMT開關等。在綠色能源與工業(yè)展區(qū)，英飛凌展示了用于風光儲系統(tǒng)的多種解決方案，包括用于光伏發(fā)電的2000V 60A EasyPACK? CoolSiC? MOSFET 3B碳化硅模塊和45A三電平Boost MPPT模塊等。
羅姆
針對日益增長的中國市場需求，羅姆本次重點展示了最新的SiC和GaN產品解決方案。
SiC方面，羅姆帶來了面向車載應用的第3代以及第4代SiC MOSFET系列產品展示以及8英寸SiC襯底。羅姆在SiC功率器件和模塊的開發(fā)領域處于先進地位，其先進的SiC MOSFET技術實現(xiàn)了業(yè)界領先的低導通電阻，充分地減少了開關損耗。
GaN方面，羅姆分別展示了150V和650V的GaN HEMT，同時還推出了EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，該產品集GaN HEMT和柵極驅動器于一體，使GaN器件輕輕松松即可實現(xiàn)安裝，助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積。
安森美
本次展會上，安森美重點展示了其完全垂直整合的SiC生態(tài)系統(tǒng)，從基本的原材料到完整封裝的SiC器件的交付。
具體來看，本次安森美展示了1200V M3S EliteSiC MOSFET、全新半橋1200V EliteSiC PIM、以及用于光儲充市場的功率集成模塊、用于電動汽車主驅逆變器的VE-Trac系列等等。
功率器件作為光儲充系統(tǒng)的核心器件，安森美現(xiàn)場展示了為上能電氣、古瑞瓦特實現(xiàn)商用與住宅光儲充一體化系統(tǒng)的關鍵技術，提供涵蓋低、中、高功率范圍的功率集成模塊（PIM），實現(xiàn)高能效、高可靠性的逆變器設計。
東芝
東芝本次主要面向風力發(fā)電、牽引、電力輸配電、工業(yè)變頻器等領域的應用，推出相應的功率器件解決方案。
本次東芝展出產品包括雙柵極RC-IEGT、大功率器件IEGT、IEGT PPI Stack、全SiC模塊、智能功率器件、車載分立器件以及分立器件封裝產品線。
對于SiC產品，東芝本次重點展出1700V和3300V的SiC模塊MG400Q2YMS3和MG800FXF2YMS3，這兩款產品是更小、更高效的工業(yè)設備的理想選擇。
富士電機
富士電機一直是全球功率半導體主流供應商之一，其本次展示了豐富的產品線。
第二代1200V/1700V全SiC模塊是富士電機本次的重點展示產品。封裝主端子部分采用層壓結構，降低了內部電感。另外模塊的封裝外形繼續(xù)保持了與傳統(tǒng)的硅模塊的封裝兼容，避免客戶在系統(tǒng)結構上做重新設計，節(jié)省開發(fā)資源。
中車
中車本次攜多款功率半導體器件及模塊、傳感器產品隆重亮相PCIM Asia，致力于展現(xiàn)中國“芯”的智慧力量，并為清潔能源的變換與高效利用提供領先的傳感測量解決方案。
中車本次展示了最新的SiC模塊及芯片，芯片采用第三代SiC MOSFET、體二極管續(xù)流，電壓等級覆蓋750V~3300V，比導通電阻最低可到3.2mΩ·cm2。模塊采用AlSiC基板設計，高性能導熱材料，進一步提高模塊功率密度，滿足汽車、OBC、DC/DC、光伏、軌道交通等復雜應用工況需求。
賽米控-丹佛斯
賽米控-丹佛斯是全球電力電子領域的技術領導者，本次展出產品包括功率模塊和系統(tǒng)等。
DCM1000X SiC功率模塊是本次賽米控-丹佛斯的重點展品之一，其耐壓從原來DCM1000的900V提高到了1200V。DCM1000X通過將先進的封裝設計與最新的SiC MOSFET相結合，證明了自己是下一代電動汽車牽引逆變器的卓越模塊平臺。
宏微科技
宏微科技本次攜帶全產業(yè)鏈產品及解決方案參展亮相，產品覆蓋工業(yè)，光伏儲能以及新能源汽車相關方向的全域功率半導體領域。
宏微科技主要從事IGBT、VDMOS、FRED等芯片及分立器件、模塊的設計、研發(fā)、制造和銷售，本次其帶來了最新的SiC二極管和MOSFET產品。
天域半導體
天域半導體是全球領先的SiC外延片供應商，本次其重點展示了6/8英寸SiC外延片產品。
天域半導體是我國SiC領域少數(shù)具備國際競爭力的企業(yè)之一，以先進的SiC外延生長技術為客戶提供優(yōu)良產品和服務，并持續(xù)加碼大尺寸SiC外延生長技術研發(fā)，積極布局8英寸SiC產線。
瞻芯電子
瞻芯電子是專注于SiC技術的功率半導體供應商，本次分享了最新的SiC功率半導體產品。
具體產品包括最新的第二代650V/1200V和1700V SiC MOSFET、隔離型驅動IVCO1A0x、圖騰柱PFC控制芯片IVCC1104等。同時，瞻芯面向不同應用場景開發(fā)了多種應用方案，比如20kW 三相PFC、11kW SiC三相電機驅動、2500W 圖騰柱PFC電源、200W 1000V反激電源，以及雙脈沖測試等輔助測試設備，為客戶朋友提供高效的參考設計。
賽晶科技
賽晶科技在本次PCIM Asia展上正式發(fā)布了為電動汽車應用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達250kW電驅系統(tǒng)，并滿足電動汽車驅動系統(tǒng)對高功率、小型化和高可靠性功率的需求。
賽晶科技還展示了第二款SiC模塊 – EVD封裝SiC模塊。該款產品采用乘用車領域普遍采用的全橋封裝。通過內部優(yōu)化設計，具有出色的性能表現(xiàn)。與業(yè)界頭部企業(yè)相同規(guī)格封裝模塊對比，賽晶EVD封裝SiC模塊的導通電阻低10%至30%，連接阻抗低33%，開關損耗相近或者更低。
IVWorks
IVWorks是一家從事寬禁帶半導體外延片產品及相關服務的公司，公司致力于成為一家擁有智能化生產和材料技術的獨創(chuàng)型企業(yè)。
本次IVWorks主要展示了6、8英寸的硅基GaN外延片等產品。IVWorks曾在去年收購了法國材料制造商圣戈班（Saint Gobain）的GaN襯底業(yè)務，借此在大功率應用領域提供GaN-on-GaN外延片來擴大產品組合。
派恩杰
派恩杰半導體本次攜全品類SiC器件、模塊及應用技術亮相了PCIM Asia。
派恩杰半導體在650V、1200V、1700V三個電壓平臺已發(fā)布100余款不同型號的SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊和GaN HEMT產品，量產產品已在電動汽車、IT設備電源、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)應用等領域廣泛使用。
鎵未來
本次展會上，鎵未來攜最新的高壓D-mode GaN功率器件以及系列應用方案隆重亮相。
目前鎵未來可向客戶提供PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252等貼片封裝以及TO-220、TO-247-3L、TO-247-4L等插件封裝全系列產品。同時，鎵未來可提供涵蓋小中大功率段的全線GaN應用方案，產品覆蓋PD快充適配器、電動工具充電器、儲能雙向逆變器等諸多場景。
士蘭微
士蘭微本次攜高能效IGBT器件、高壓大功率模塊、高功率SiC器件等系列產品亮相展會。
士蘭微針對光伏、汽車等應用的SiC產品系列具有更高的參數(shù)一致性，更低的失效不良率，從而滿足高端客戶需求。據了解，其SiC MOSFET汽車主驅模塊已通過部分客戶測試，有望在今年實現(xiàn)批量生產和交付。
瑞能半導體
瑞能半導體在本次展會上展示了全新的功率半導體實踐應用。
瑞能半導體SiC二極管產品已完成六代產品開發(fā)，擁有1.26V超低Vf。第二代SiC MOSFET產品已實現(xiàn)業(yè)內最低比導電阻: Ron,sp=2.6mΩ·cm2，目前瑞能半導正在進行第三代trench gate產品開發(fā)。另外，由瑞能半導體全資控股的模塊生產工廠瑞能微恩模塊工廠已在近期正式投入運營。
Soitec
Soitec是設計和生產創(chuàng)新性半導體材料的全球領先企業(yè)，以其獨特的技術和半導體領域的專長服務于電子市場。
憑借深耕SmartCut? 工藝三十年的專業(yè)積淀，Soitec推出了全新的顛覆性優(yōu)化襯底 SmartSiC?，為晶圓電氣性能、供應鏈生產力以及器件功率密度帶來了全新解決方案。與傳統(tǒng)SiC襯底相比，Soitec專利的SmartSiC?襯底可降低 75% 溫室氣體排放。
安世半導體
本次展會上，安世半導體展示了最新的功率半導體器件及晶圓產品。
安世半導體在今年推出了650V SiC肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用，并計劃不斷增加SiC 二極管產品組合，包括工作電壓為650V和1200 V、電流范圍為6~20 A 的和車規(guī)級器件。同時，安世半導體已經推出了三代650V GaN場效應晶體管，將晶體管封裝技術引入到氮化鎵技術中，并在不斷的根據市場需求，降低成本，提高性能。
揚杰科技
揚杰科技本次攜帶硅晶圓、IGBT、SiC、可控硅等產品首次亮相PCIM Asia展。
揚杰科技此次重點展出了IGBT系列產品，包括650V 50A/75A/100A IGBT單管，160A/200A/400A/450A/650V IGBT三電平模塊，相關系列產品與市場主流產品完全pin to pin兼容替代應用，并第一次展出新能源汽車主驅的HP1/HPD模塊。
同時，揚杰科技還展示了全系列SiC產品，重點展示SiC MOSFET，電壓等級覆蓋650V/1200V/1700V，導通電阻覆蓋20~1000mΩ，可應用于新能源汽車統(tǒng)OBC和DC/DC，光伏儲能逆變器，充電樁和工業(yè)電源等應用。
納芯微
納芯微在本次展會現(xiàn)場全面展示了其在傳感器、信號鏈、電源管理三大方向的創(chuàng)新產品和解決方案。
納芯微具體展出產品包括電流傳感器、數(shù)字隔離器、接口、隔離采樣、隔離電源、柵極驅動、電機驅動，以及其SiC系列產品等。納芯微在今年推出了專為光伏、儲能、充電等工業(yè)場景而設計的1200V系列SiC二極管產品，同時也在積極開發(fā)和驗證車規(guī)級1200V SiC MOSFET產品。
?？瓢雽w
本次展會上，?？瓢雽w展示了自有高品質6英寸SiC外延片。該公司憑借業(yè)內先進的高品質量產工藝和最先進的測試設備，為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6英寸導電型SiC外延片，目前已對十余個業(yè)內標桿客戶完成送樣并實現(xiàn)了采購訂單。
百識電子
百識電子在本次展會上重點展示了6英寸SiC外延片以及6/8英寸硅基GaN外延片。
百識電子是在南京設立研發(fā)總部和制造工廠的專業(yè)團隊，其可提供4/6英寸的SiC外延片服務，以及6/8英寸的硅基氮化鎵和4/6英寸的碳化硅基氮化鎵外延片服務。除了標準規(guī)格外延片，百識電子亦可針對特殊應用市場需求，提供客制化規(guī)格外延服務及器件開發(fā)所需的關鍵制程。
Power Integrations
PI本次攜帶數(shù)款門極驅動、汽車電子、電機驅動產品參展，展示了他們在功率半導體的全面方案以及強硬的實力。
PI能夠提供一個高集成度的方案，將功率器件和保護機制都集成在一個輕薄的封裝里面，實現(xiàn)高集成度無散熱片的工業(yè)的或者是家電的電機驅動方案。同時，PI提供了相對應的軟件包，方便快速實現(xiàn)無傳感器的電機控制設計，便于軟件工程師能夠快速高效地實現(xiàn)軟件開發(fā)，為電機驅動測試帶來極大的便利，極快地完成產品設計，實現(xiàn)高集成度高效的電機驅動解決方案。
AOS
本次展會上，AOS展出了應用于新能源汽車、電力電源、電機驅動IC、計算機系統(tǒng)方案以及家電等的相關產品及技術。
其中包括最新高壓超結MOSFETs、熱插拔MOSFETs、αSiC MOSFETs、IMVP多相控制芯片以及符合PD3.1規(guī)范的Type C負載開關。
AOM033V120X2Q采用優(yōu)化的TO-247-4L封裝，符合AEC-Q101標準的新型1200V SiC MOS管（αSiC MOSFET）。這款1200V SiC MOS管為可接受15V標準柵極驅動器的TO-247-4L車規(guī)封裝，并提供行業(yè)內領先的最低導通電阻，滿足電動汽車（EV）車載充電機、電機驅動逆變器和車載充電樁的高效率和可靠性要求。
翠展微電子
翠展微電子本次主要展出了IGBT、SiC功率模塊產品。
翠展微電子是一家以車規(guī)級功率模塊為核心，同時覆蓋光伏、儲能、電網、工控領域的功率半導體設計生產廠家，主要產品有IGBT單管/模塊、SiC單管/模塊，以及汽車軟件一站式工具鏈解決方案等。
在車規(guī)功率模塊領域，翠展微電子產品基本涵蓋了國內車規(guī)功率模塊封裝需求和電流規(guī)格，主要封裝包括HP1、DC6、DC6I、HPD、Econodual系列、TPAK及TO-247PLUS系列等，可滿足250KW以內新能源汽車主驅的應用需求。
CGD
CGD是一家專注于GaN技術的無晶圓廠設計公司，本次展示了其獨有的高能效GaN解決方案。
CGD 本次在中國首推其第二個易用可靠的 ICeGaN? GaN HEMT 產品系列。CGD H1和H2系列是單芯片增強模式HEMT，具有3V閾值電壓、真正的0V關斷，以及可在高達20V電壓下工作的革命性柵極方案。無級聯(lián)、無復雜多芯片配置、無復雜熱集成解決方案：嵌入式專有邏輯單芯片，可與標準柵極驅動器或控制器配對。此外，CGD展出了最新的評估板，包含65W QRF評估板、1.6kW LLC評估板、3kW 光伏逆變器和USB PD參考設計。
新微半導體
新微半導體本次攜豐富的硅基GaN功率產品平臺精彩亮相PCIM Asia。
新微半導體展示了40V/100V/150V/650V等低、中、高壓GaN功率器件工藝平臺系列展品，并重點展示了面向不同終端應用領域的外延制造和晶圓代工產品以及先進的技術解決方案。
合盛新材
合盛新材本次攜帶最新的6英寸SiC襯底產品亮相本次展會。
合盛新材是由上市公司合盛硅業(yè)股份發(fā)起成立并控股，業(yè)務涵蓋SiC襯底及外延的研發(fā)，生產與銷售。目前合盛新材料正在建設導電型6英寸SiC襯底與外延片產線，已實現(xiàn)投資規(guī)模超過10億元。
芯長征
芯長征本次分別展示了IGBT、MOSFET、SiC等產品。
在汽車領域，芯長征重點展示其針對商用車主驅開發(fā)的1200V 450A/600A EconoDUAL3 IGBT模塊、針對乘用車主驅開發(fā)的750V 820A HPD IGBT模塊及750V 400A/600A HybridPACK 1 模塊及1200V 40/80mΩ的SiC MOS產品。
忱芯科技
忱芯科技本次展示了動態(tài)特性測試系統(tǒng)與動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)DEMO。
忱芯科技提供SiC/GaN、IGBT功率半導體器件實驗室版與產線版全系列ATE測試系統(tǒng)，實現(xiàn)功率半導體器件前道、后道到應用級測試全覆蓋。目前，忱芯科技SiC ATE設備已實現(xiàn)批量出貨，成功交付功率半導體IDM企業(yè)、芯片設計公司、功率器件封裝公司與新能源車廠及Tier1企業(yè)。
安建半導體
本次展會上，安建半導體展示了IGBT、SiC、SGT-MOS、SJ-MOS四類全新產品。
SiC方面，安建半導體本次展示了650V/1200V的SiC二極管和MOSFET。安建半導體總部位于浙江寧波，并在寧波自建了模塊封裝工廠——吉賽半導體。
功成半導體
功成半導體本次攜高效的功率器件組合產品及應用方案亮相PCIM Asia。
本次功成半導體展出產品主要包括六大類：Elite MOSFET(SGT)、Elite MOSFET(SJ)、高壓高頻IGBT、SiC SBD & MOSFET、GaN HEMT以及IPM智能功率模塊。
特勵達力科
特勵達力科是高端示波器、協(xié)議分析儀和其他測試儀器的領先制造商，可快速全面地驗證電子系統(tǒng)的性能和合規(guī)性，并進行復雜的調試分析。
特勵達力科的寬禁帶半導體測試系統(tǒng)包含DL-ISO高壓光隔離探頭、功率器件分析軟件和12bit高精度示波器。DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，與力科 12 位高精度示波器 (HDO) 相結合，可獲得 1.5% 的系統(tǒng)精度，幾乎是市場上替代解決方案的兩倍。同時可提供豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。
悉智科技
悉智科技本次攜多款應用于電動汽車、工業(yè)場景的功率模塊產品亮相PCIM Asia。
悉智科技當前產品聚焦在智能電車和清潔能源的功率與電源塑封模塊創(chuàng)新領域，擁有國內最先進的車規(guī)級塑封產線和性能測試（包括系統(tǒng)級）&可靠性測試&失效分析實驗室。
華太電子
本次展會上，華太電子展示了SiC、IGBT等功率半導體產品，。
華太電子主要從事射頻/功率產品、高端散熱材料的研發(fā)、生產與銷售，并提供大功率封測業(yè)務，產品可廣泛應用于通信基站、光伏發(fā)電與儲能、半導體裝備、智能終端、新能源汽車、工業(yè)控制等大功率場景。
此外，其他參展廠商還包括韓國功率半導體展團，以及芯源新材料、先進連接技術、MacDermid Alpha、DOWA、銦泰、賀利氏、京瓷等封裝材料廠商。（文：集邦化合物半導體 Matt）
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