據(jù)“勢能資本”官微消息，芯辰半導體（蘇州）有限公司（下文簡稱“芯辰半導體”）外延設(shè)備已于近日投產(chǎn)，覆蓋砷化鎵（GaAs）及磷化銦（InP）光芯片四元化合物全材料體系。
據(jù)介紹，芯辰半導體目前已實現(xiàn)波長范圍760nm~1700nm外延片的量產(chǎn)，外延均勻性為激射中心波長外2nm之內(nèi)。其中典型波長的激光芯片外延片，如808、850、905、940、1064、1550、1654nm，已在自主產(chǎn)線實現(xiàn)VCSEL或DFB芯片驗證。
source：芯辰半導體
此外，相關(guān)外延片已獲客戶長期合作訂單，其中砷化鎵外延片最大可支持6英寸晶圓、磷化銦外延片最大可支持4英寸晶圓，同時配套有相關(guān)晶圓質(zhì)量檢測設(shè)備。公開資料顯示，芯辰半導體專注于生產(chǎn)VCSEL和EEL激光器芯片。
其產(chǎn)品廣泛應用于光通信、激光雷達、生物醫(yī)學和先進裝備等多個領(lǐng)域。公司采用IDM模式，致力于在太倉打造砷化鎵和磷化銦系光芯片自主制造基地。
今年9月初，芯辰半導體旗下砷化鎵、磷化銦高端光電子芯片IDM生產(chǎn)線完成試運行。該產(chǎn)線包含了從芯片設(shè)計、材料外延、光刻、刻蝕、鍍膜等芯片工藝到封裝測試的完整工藝研發(fā)平臺和產(chǎn)品生產(chǎn)線。同月，公司光芯片封測平臺建設(shè)完成并對外開放。
10月底，總投資達8億元的芯辰半導體項目一期在江蘇太倉實現(xiàn)了投產(chǎn)，預計達產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)8000萬顆光芯片、產(chǎn)值10億元。（集邦化合物半導體整理）
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