據(jù)“江蘇姜堰”官微消息12月5日，據(jù)英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體消息，英飛凌發(fā)布了全新一代氮化鎵產(chǎn)品CoolGaN? G3和CoolGaN? G5系列，采用英飛凌自主研發(fā)的高性能8英寸晶圓工藝制造，將氮化鎵的應(yīng)用范圍擴(kuò)大到40V至700V。
source：江蘇姜堰
其中，CoolGaN? G3系列覆蓋60V、80V、100V和120V電壓等級，以及40V雙向開關(guān)（BDS）器件，主要面向電機(jī)驅(qū)動、電信、數(shù)據(jù)中心、太陽能和消費(fèi)應(yīng)用；CoolGaN? G5系列基于GIT（Gate Injection Transistor，柵注入晶體管）技術(shù)推出新一代650V晶體管，以及基于G5的IPS驅(qū)動產(chǎn)品，適用于消費(fèi)、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和太陽能領(lǐng)域的應(yīng)用。
據(jù)悉，自2023年以來，英飛凌正在加速布局GaN業(yè)務(wù)。2023年5月，作為項目主導(dǎo)方，英飛凌宣布將參與一個由45家合作伙伴共同建設(shè)的歐洲聯(lián)合科研項目ALL2GaN，目的是開發(fā)從芯片到模塊的集成GaN功率設(shè)計，主要面向電信、數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器等應(yīng)用。
當(dāng)年10月，英飛凌以8.3億美元完成收購GaN Systems。GaN Systems是全球前五大GaN功率器件廠商之一，收購GaN Systems后，英飛凌在一定程度上改變了GaN功率器件市場競爭格局。
而在今年9月12日，英飛凌宣布率先開發(fā)全球首項12英寸氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)。按照英飛凌的說法，這項技術(shù)能夠徹底改變行業(yè)的游戲規(guī)則，相較于8英寸晶圓，12英寸晶圓芯片生產(chǎn)不僅在技術(shù)上更先進(jìn)，也因晶圓直徑擴(kuò)大，每片晶圓上芯片數(shù)量增加了2.3倍，顯著提高了效率。
目前，英飛凌已在Villach廠利用現(xiàn)有12英寸硅生產(chǎn)設(shè)備的整合試產(chǎn)線，成功地生產(chǎn)出12英寸GaN晶圓。
當(dāng)前，消費(fèi)電子是功率GaN產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機(jī)等領(lǐng)域。而在汽車、AI數(shù)據(jù)中心、機(jī)器人等領(lǐng)域，氮化鎵也都有較大的應(yīng)用潛力，并取得了一定的成果，前景光明。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN?Power?Device市場分析報告》顯示，隨著各大廠商對GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復(fù)合年增長率）高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動等場景為核心。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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