11月15日，據(jù)鎵仁半導體官微消息，鎵仁半導體氧化鎵二期工廠近日正式啟用。新工廠在晶體生長、晶圓加工和外延生長等關(guān)鍵環(huán)節(jié)引入了先進的產(chǎn)業(yè)化設(shè)備，預計將顯著提升產(chǎn)能，以滿足全球市場對氧化鎵晶圓襯底和外延片的增長需求。
source：鎵仁半導體
據(jù)介紹，在二期工廠中，鎵仁半導體自主研發(fā)并對外銷售的垂直布里奇曼法（VB法）氧化鎵專用長晶爐已進線，而且在現(xiàn)有基礎(chǔ)上對工藝進行持續(xù)優(yōu)化。
鎵仁半導體技術(shù)總監(jiān)夏寧表示，垂直布里奇曼法是全球公認的氧化鎵產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵技術(shù)，而鎵仁半導體是目前國內(nèi)唯一能提供此類設(shè)備的供應商。
官網(wǎng)資料顯示，鎵仁半導體成立于2022年9月，目前坐落于杭州市蕭山區(qū)機器人小鎮(zhèn)，是一家專注于寬禁帶半導體材料（氧化鎵等第四代半導體）研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。
鎵仁半導體產(chǎn)品包括不同尺寸、晶向和電阻率的氧化鎵拋光片，可定制的氧化鎵籽晶等。產(chǎn)品主要應用于面向國家電網(wǎng)、新能源汽車、軌道交通、5G通信等領(lǐng)域的電力電子器件。
業(yè)務進展方面，9月20日，鎵仁半導體發(fā)布其首臺氧化鎵專用晶體生長設(shè)備。該設(shè)備不僅滿足氧化鎵晶體生長的各項需求，還集成了多項自主創(chuàng)新技術(shù)。
今年以來，鎵仁半導體持續(xù)在氧化鎵技術(shù)方面取得突破。4月，鎵仁半導體推出了2英寸晶圓級（010）氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實現(xiàn)了2英寸（010）氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn)，打破了國際壟斷；7月，鎵仁半導體成功制備出了3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底；9月上旬，鎵仁半導體宣布成功研制超薄6英寸氧化鎵襯底，襯底厚度小于200微米。（集邦化合物半導體Zac整理）
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