11月13日，據(jù)“揚(yáng)州經(jīng)開區(qū)發(fā)布”官微消息，揚(yáng)州2024（北京）經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展匯報(bào)會(huì)于11月12日舉行。揚(yáng)州經(jīng)開區(qū)現(xiàn)場簽約央企合作項(xiàng)目2個(gè)，總投資36億元，其中之一為中國電子科技集團(tuán)與綠投集團(tuán)國宇電子功率芯片項(xiàng)目。
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該項(xiàng)目總投資11億元，其中一期項(xiàng)目投資5.8億元，設(shè)備投資3億元，計(jì)劃利用現(xiàn)有國宇電子廠區(qū)內(nèi)土地?cái)U(kuò)建分立器件功率芯片生產(chǎn)線，建設(shè)6英寸功率FRED芯片生產(chǎn)線，規(guī)劃年產(chǎn)能48萬片，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)年開票10億元，年凈利潤1.4億元，納稅5000萬元；項(xiàng)目二期規(guī)劃生產(chǎn)IGBT、硅基GaN等高功率半導(dǎo)體芯片。
公開資料顯示，國宇電子主要從事半導(dǎo)體器件芯片的研發(fā)生產(chǎn)。其主要產(chǎn)品有電源、節(jié)能燈、鎮(zhèn)流器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、變壓器等用VDMOS場效應(yīng)功率晶體管、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于家電、綠色照明、計(jì)算機(jī)、汽車電子、網(wǎng)絡(luò)通訊、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
近期，除國宇電子項(xiàng)目外，還有多個(gè)氮化鎵相關(guān)項(xiàng)目披露了最新進(jìn)展。
11月4日，美國半導(dǎo)體企業(yè)MACOM宣布，將引領(lǐng)一個(gè)碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目，主要針對于射頻（RF）和微波應(yīng)用領(lǐng)域。項(xiàng)目專注于開發(fā)氮化鎵基材料和單片微波集成電路（MMIC）的半導(dǎo)體制造工藝，以實(shí)現(xiàn)在高壓和毫米波（mmW）頻率下的高效運(yùn)行。
9月29日，據(jù)武漢鑫威源電子科技有限公司（以下簡稱：鑫威源電子）官微消息，鑫威源電子在高性能氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片方面取得重大技術(shù)突破，同時(shí)氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片產(chǎn)線完成通線試產(chǎn)。
9月9日，廣東省江門市生態(tài)環(huán)境局新會(huì)分局發(fā)布了“冠鼎半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)新建項(xiàng)目”的環(huán)評文件受理公告。公告顯示，冠鼎半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)項(xiàng)目總投資1.055億元，計(jì)劃年加工氮化鎵功率半導(dǎo)體1500萬件。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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