9月20日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）發(fā)布了公司首臺(tái)氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備。該設(shè)備不僅滿足氧化鎵晶體生長(zhǎng)的各項(xiàng)需求，還集成了多項(xiàng)自主創(chuàng)新技術(shù)，是鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)氧化鎵單晶材料技術(shù)閉環(huán)的新里程碑。
source：鎵仁半導(dǎo)體
據(jù)介紹，鎵仁半導(dǎo)體此次推出的氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備滿足氧化鎵生長(zhǎng)所需的高溫和高氧環(huán)境。設(shè)備采用非銥（Ir）坩堝材料，可在空氣氣氛下工作。研發(fā)團(tuán)隊(duì)自主設(shè)計(jì)了獨(dú)特的復(fù)合測(cè)溫技術(shù)和控溫算法，確保晶體生長(zhǎng)過程的穩(wěn)定性、均勻性和一致性。
該設(shè)備實(shí)現(xiàn)了全自動(dòng)化晶體生長(zhǎng)流程，減少了人工干預(yù)，顯著提高了生產(chǎn)效率和晶體質(zhì)量。通過該設(shè)備制備的氧化鎵晶體為柱狀外形，通過工藝控制可獲得多種不同晶面的大尺寸單晶，且支持向更大尺寸單晶的升級(jí)，以適應(yīng)不斷發(fā)展的外延技術(shù)和器件需求。
除了在設(shè)備領(lǐng)域有動(dòng)作，鎵仁半導(dǎo)體今年在融資、合作以及氧化鎵技術(shù)方面也有相關(guān)進(jìn)展。
今年4月，鎵仁半導(dǎo)體推出了新產(chǎn)品2英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實(shí)現(xiàn)了2英寸（010）氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn)，打破了國(guó)際壟斷。
6月底，鎵仁半導(dǎo)體與蘇州邁姆思半導(dǎo)體科技有限公司簽訂合作協(xié)議，雙方將協(xié)作實(shí)現(xiàn)碳化硅和氧化鎵的鍵合，用碳化硅出色的散熱性能來彌補(bǔ)氧化鎵散熱性能的不足，同時(shí)通過氧化鎵和硅的鍵合，大幅度降低成本，推動(dòng)氧化鎵作為功率器件的量產(chǎn)化。
7月，鎵仁半導(dǎo)體成功制備出了3英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底。
8月，鎵仁半導(dǎo)體完成了Pre-A輪融資并與杭州銀行戰(zhàn)略合作協(xié)議的簽訂。
9月上旬，鎵仁半導(dǎo)體宣布公司在氧化鎵襯底加工技術(shù)上取得突破性進(jìn)展，成功研制超薄6英寸襯底，襯底厚度小于200微米。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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