近期，碳化硅相關產能建設熱度上漲，又有2個項目披露了最新進展，分別是萃錦半導體功率半導體中后道特色工藝生產基地和芯干線半導體項目。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
月產增至3000片，萃錦半導體籌建碳化硅MOSFET項目
9月4日，據(jù)寧波股權交易中心官微消息，浙江萃錦半導體有限公司（以下簡稱：萃錦半導體）的母公司寧波萃錦科技發(fā)展有限公司正在籌劃建設面積4.2萬平方米的功率器件制造廠房，采用功率半導體中后道特色工藝（FSM+BGBM），打造功率器件生產基地。
萃錦半導體采用Smart IDM模式，專注于新一代功率半導體的芯片設計、器件研發(fā)、生產、銷售和應用服務。其致力于在新能源汽車、算力、儲能、風電、工業(yè)驅動等領域，提供高可靠、高性能的分立器件、模塊和板級方案，產品包括600V-2000V電壓平臺的碳化硅MOSFET和模塊,、硅基超結SJ MOS、IGBT分立器件和模塊、新型合封功率芯片和板級系統(tǒng)方案等。
在供應鏈方面，萃錦半導體擁有海外成熟量產的碳化硅代工廠，每月可提供1000片以上的MOSFET，通過新籌建工廠的功率芯片中后道特色工藝線，萃錦半導體能夠將碳化硅MOSFET的月產能提升至3000片。
合作方面，2022年3月，萃錦半導體與湖南功率半導體創(chuàng)新中心簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。該創(chuàng)新中心擁有功率模塊封裝設計中心、試制中心、檢測中心（其中檢測中心已獲得CNAS資質），可以滿足先進封裝工藝的開發(fā)和車規(guī)級全套可靠性測試。
研發(fā)進展方面，2022年6月6日，萃錦半導體生產出首款碳化硅模塊樣品，樣品通過全部動靜態(tài)參數(shù)測試，性能指標完全達到設計要求。
該碳化硅模塊采用1200V碳化硅MOSFET芯片、三相全橋拓撲結構，引入低感設計、雙面銀燒結、銅線鍵合、高溫灌封等技術，具有低雜散電感、優(yōu)異的熱管理結構、超低損耗、高輸出功率、高可靠性等特點。
芯干線半導體項目首條生產線已投產
9月5日，據(jù)建湖縣人民政府官網(wǎng)消息，芯干線半導體項目第一條生產線已經(jīng)投產。據(jù)悉，該項目計劃總投資5億元，新上智能功率模塊封測生產線10條，預計年底可達到年產3萬只模塊的產能，達產后可實現(xiàn)年產100萬只模塊的產能。
芯干線專注于化合物半導體功率器件及模塊設計研發(fā)，產品線包括增強型氮化鎵功率器件（X-GaN），碳化硅功率器件（X-SiC）以及化合物半導體電源模塊。芯干線為下游客戶提供化合物半導體應用方案和全面的技術支持，涵蓋消費級、工業(yè)級等各領域。
合作方面，6月18日，芯干線與瑞薩電子在南京舉行了戰(zhàn)略合作簽約儀式，宣布建立數(shù)字電源聯(lián)合實驗室，共同打造高效率、高功率密度的數(shù)字電源解決方案。
融資方面，自2020年10月成立以來，芯干線已完成3輪融資。其最近一輪融資在去年8月披露，融和資產通過上海中電投融和新能源投資管理中心（有限合伙）及上海融和九智私募基金合伙企業(yè)（有限合伙）完成對芯干線的戰(zhàn)略投資，布局新能源產業(yè)鏈上游電力電子元器件領域。（集邦化合物半導體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。