7月15日，據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，鎵仁半導(dǎo)體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底，據(jù)稱為目前國際上已報(bào)導(dǎo)的最大尺寸。
source：鎵仁半導(dǎo)體
據(jù)鎵仁半導(dǎo)體介紹，在氧化鎵單晶襯底常見的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。首先，（010）襯底熱導(dǎo)率最高，有利于提升功率器件性能；第二，（010）襯底具有較快的外延生長速率；第三，基于（010）襯底制備的器件具有更優(yōu)異的性能。
資料顯示，鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月，是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的廠商。鎵仁半導(dǎo)體開創(chuàng)了非導(dǎo)模法氧化鎵單晶生長新技術(shù)，突破了國際市場(chǎng)對(duì)氧化鎵材料的壟斷，可提供具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氧化鎵單晶襯底材料。
技術(shù)進(jìn)展方面，此前，鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，采用楊德仁院士團(tuán)隊(duì)自主開創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵（β-Ga2O3）單晶襯底。
2024年4月，鎵仁半導(dǎo)體推出了新產(chǎn)品2英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實(shí)現(xiàn)了2英寸（010）氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn)，打破了國際壟斷。
融資方面，今年4月，鎵仁半導(dǎo)體宣布完成數(shù)千萬元天使輪融資，本輪融資由藍(lán)馳創(chuàng)投領(lǐng)投，禹泉資本、毅嶺資本跟投，融資資金將用于強(qiáng)化團(tuán)隊(duì)、加速氧化鎵襯底材料新方法及中試線研發(fā)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。