6月28日，據“安吉發(fā)布”官微消息，在“源起黃浦江 潮涌向未來”安吉（上海）推介會上，35個項目集體簽約，包括年產1600噸碳化硅襯底材料項目、高性能新能源電池覆膜材料產業(yè)園項目、云上龍王山·高山全季文旅度假綜合體項目等。
其中，年產1600噸碳化硅襯底材料項目簽約方為蘇州冠嵐新材料有限公司（以下簡稱冠嵐新材料）。
source：安吉發(fā)布
資料顯示，冠嵐新材料成立于2021年9月，主要產品為大尺寸、高純度、低成本第三代半導體SiC原材料、SiC鍍膜，目前國產化原材料產品已驗證完成，獲國內外多家客戶認證。冠嵐新材料采用獨有的升級的化學氣相沉積的原材料技術，生產出的晶棒較厚、成本較低、純度較高。
2023年12月，冠嵐新材料完成A輪融資，投資方包括萬安投資、國升基金、隆晟基業(yè)。
值得一提的是，近期還有另外一個SiC項目簽約落地安吉縣所在的浙江湖州市。5月9日，據“南太湖發(fā)布”官微披露，浙江湖州南太湖新區(qū)管理委員會和安徽源芯微電子有限責任公司（以下簡稱源芯微電子）舉行源芯微電子年產20億只車規(guī)級芯片智造項目簽約儀式。
據悉，此次簽約落地的年產20億只車規(guī)級芯片智造基地和SiC車規(guī)級芯片研究院項目總投資10億元，分兩期建設，全部達產后年產值約18億元。
此外，東尼電子2021年非公開發(fā)行募投項目“年產12萬片碳化硅半導體材料”的實施地點位于湖州市吳興區(qū)織里鎮(zhèn)。該項目總投資4.69億，由子公司東尼半導體負責建設。這一項目已于2023年上半年實施完畢。
今年3月18日，湖州市生態(tài)環(huán)境局公示了對東尼電子擴建SiC項目的環(huán)評文件審批意見。根據公告內容，東尼半導體計劃利用東尼五期廠區(qū)廠房，實施擴建年產20萬片6英寸SiC襯底材料項目。（集邦化合物半導體Zac整理）
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