繼6月18日，總投資120億元的士蘭微8英寸SiC功率器件芯片制造生產線開工后，又有兩個SiC相關項目披露了最新進展。
長飛先進武漢基地正式封頂
6月19日，據長飛先進官微消息顯示，年產36萬片SiC晶圓的長飛先進武漢基地日前正式完成主體結構封頂。
source：長飛先進
據悉，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產，致力于打造一個集芯片設計、制造及先進技術研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導體制造基地。項目總投資預計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設內容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產配套用房設施等。
接下來，項目將進入塔樓內部裝修及裙樓主體結構施工階段，預計明年7月量產通線。項目投產后可年產36萬片SiC晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應用于新能源汽車、光儲充等領域。
長飛先進專注于SiC功率半導體產品研發(fā)及制造，具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產能力和技術研發(fā)能力。
目前，長飛先進產品覆蓋650V-3300V全電壓平臺的SiC MOSFET和SBD，應用于車載主驅、車載OBC、光伏逆變器、充電樁逆變器、工業(yè)電源等全場景。長飛先進目前晶圓代工產品超過50款，自營產品超過20款，其中1200V 15mΩ SiC MOSFET產品已經開始導入市場，面向車載主驅逆變器應用場景。
晶能微電子車規(guī)級半導體封測基地二期項目將于2026年投產
6月17日，據溫嶺發(fā)布官微消息顯示，晶能微電子車規(guī)級半導體封測基地二期項目用地近日成功出讓。項目總用地面積達14755平方米，由溫嶺新城開發(fā)區(qū)下屬國有企業(yè)負責廠房建設。
據悉，去年5月，晶能微電子與溫嶺新城開發(fā)區(qū)成功簽約車規(guī)級半導體封測基地項目，項目共分兩期實施建設。其中，一期擴建項目于2023年12月28日開工，主要建設一條車規(guī)級Si/SiC器件先進封裝產線，目前已進入設備進場及調試階段，將于本月正式投產。投產后，預計每年可生產超3.96億顆單管產品。
二期項目主要用于開展MEMS、IC等產品的研發(fā)、生產、銷售，同時將一期產線整體遷入新建廠房。項目計劃于今年三季度開工建設，并于2026年投產。
晶能微電子是吉利孵化的功率半導體公司，聚焦于新能源領域的芯片設計與模塊創(chuàng)新,為新能源汽車、電動摩托車、光伏、儲能、新能源船舶等客戶提供功率產品和服務。
近年來，晶能微電子持續(xù)強化功率半導體封測業(yè)務布局。去年8月，據晶能微電子官微消息，其擬與錢江摩托簽署協(xié)議，投資1.23億元收購后者持有的益中封裝100%股權。益中封裝主要做單管先進封裝，年產能3.6億只。收購完成后，晶能微電子產品版圖實現(xiàn)對殼封模塊、塑封模塊和單管產品的全覆蓋。（集邦化合物半導體Zac整理）
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