5月21日，據(jù)看金壇官微消息，由制局半導體（江蘇）有限公司（以下簡稱制局半導體）投資建設(shè)的半導體封測總部項目簽約儀式在江蘇省常州市金壇區(qū)舉行，該項目總投資達50億元。
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天眼查資料顯示，該公司成立于2024年5月21日，注冊資本為1億元，經(jīng)營范圍含集成電路設(shè)計、集成電路芯片設(shè)計及服務(wù)、集成電路芯片及產(chǎn)品銷售、電力電子元器件制造、電子元器件零售、半導體器件專用設(shè)備銷售等。
具體來看，制局半導體擬在金壇華羅庚高新區(qū)新建公司總部，規(guī)劃工業(yè)用地159畝，新建總建筑面積約12.5萬平方米高標準半導體工廠及附屬配套設(shè)施。
該項目一期用地59畝，總投資15億元，建設(shè)HI-SiP模組研發(fā)中心、工程技術(shù)中心及半導體先進封測基地，以滿足汽車電子、通訊電子、AI、醫(yī)療、航空航天領(lǐng)域先進封測和器件模組需求，計劃于2024年開工建設(shè)，2026年上半年建成投產(chǎn)。項目二期用地100畝，總投資35億元，建設(shè)高頻微波、功率、寬禁帶化合物半導體器件及模組制造基地，計劃于2028年開工建設(shè)，2029年建成投產(chǎn)。
據(jù)悉，近期還有另外一個半導體項目落地金壇區(qū)。今年4月29日，立研半導體常州產(chǎn)業(yè)基地項目啟動暨半導體基金簽約儀式也在華羅庚高新區(qū)舉行。
該項目計劃總投資1億美元，總用地面積75畝，新建生產(chǎn)廠房、綜合樓、半導體產(chǎn)業(yè)研究院及附屬用房等，計劃2026年建成投產(chǎn)。該項目目標產(chǎn)品為半導體先進制程和檢測精密設(shè)備，達產(chǎn)后將形年產(chǎn)360臺生產(chǎn)規(guī)模，其中晶圓清洗及拋光設(shè)備120臺、晶圓減薄研磨設(shè)備120臺、晶圓檢測設(shè)備120臺。（集邦化合物半導體Zac整理）
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