4月17日,納芯微官微消息顯示,其推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級(jí)。
source:納芯微
據(jù)介紹,納芯微的SiC MOSFET具有RDSon溫度穩(wěn)定性、門極驅(qū)動(dòng)電壓覆蓋度更寬、具備高可靠性,適用于電動(dòng)汽車(EV)OBC/DC-DC、熱管理系統(tǒng)、光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)以及不間斷電源(UPS)等領(lǐng)域。
據(jù)悉,為了提供更可靠的SiC MOSFET產(chǎn)品,納芯微在SiC芯片生產(chǎn)過程中施行嚴(yán)格的質(zhì)量控制,所有SiC產(chǎn)品做到100%靜態(tài)電參數(shù)測(cè)試,100%抗雪崩能力測(cè)試。此外,會(huì)執(zhí)行比AEC-Q101更加嚴(yán)格的測(cè)試條件來(lái)驗(yàn)證產(chǎn)品可靠性。
作為一家高性能高可靠性模擬及混合信號(hào)芯片公司,納芯微自2013年成立以來(lái),聚焦傳感器、信號(hào)鏈、電源管理三大方向,提供半導(dǎo)體產(chǎn)品及解決方案,并被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、信息通訊及消費(fèi)電子領(lǐng)域。
2023年,納芯微開始布局SiC產(chǎn)業(yè)并于當(dāng)年7月推出1200V系列SiC二極管產(chǎn)品,該系列產(chǎn)品專為光伏、儲(chǔ)能、充電等工業(yè)場(chǎng)景而設(shè)計(jì)。其在單相或三相PFC、隔離或非隔離型DC-DC電路中均能展現(xiàn)出卓越的效率特性,能夠滿足中高壓系統(tǒng)的需求。
據(jù)介紹,納芯微的SiC二極管采用MPS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),與傳統(tǒng)的JBS結(jié)構(gòu)相比,具有較大優(yōu)勢(shì)。MPS結(jié)構(gòu)中的PN結(jié)構(gòu)在大電流下更容易開啟,通過向高電阻的漂移區(qū)注入少數(shù)載流子形成電導(dǎo)調(diào)節(jié)效應(yīng),從而降低漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻。在保持器件正向?qū)妷翰蛔兊那闆r下,器件的抗浪涌電流能力得到增強(qiáng)。
同時(shí),納芯微NPD020N120A SiC二極管在額定電流下的正向?qū)妷簩?shí)測(cè)典型值為1.39V,而單次浪涌電流的實(shí)測(cè)典型值可以達(dá)到220A,是正向額定電流的11倍,性能優(yōu)于行業(yè)水平。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。