近期頻頻出手，全球半導體巨頭英飛凌持續(xù)擴大朋友圈。近日，繼SK Siltron CSS、富特科技之后，英飛凌再與安克創(chuàng)新、盛弘電氣兩大知名廠商達成合作。
通過最新的兩項合作，英飛凌同時在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）領域迎來了新進展。其中，盛弘電氣將與英飛凌圍繞SiC功率器件攜手合作。
source：英飛凌
英飛凌鞏固SiC業(yè)務
近日，英飛凌宣布與盛弘電氣達成合作，將為盛弘電氣提供1200 V CoolSiC MOSFET功率半導體器件、EiceDRIVER緊湊型1200V單通道隔離柵極驅動IC等產品。
目前，英飛凌在SiC領域已有超過30年的產品研發(fā)和應用經(jīng)驗，SiC產品性能正在持續(xù)優(yōu)化升級。據(jù)悉，英飛凌1200V CoolSiC MOSFET憑借其高功率密度性能，可將損耗降低50%, ?在不增加電池尺寸的情況下，額外提供約2%的能量，這有利于打造高性能、輕量且緊湊的儲能方案。
據(jù)稱，采用英飛凌上述產品后，盛弘電氣儲能變流器系統(tǒng)效率可達98% , 比傳統(tǒng)的解決方案效率提升了1%，能夠更好地滿足海內外市場并網(wǎng)和離網(wǎng)運行的儲能應用需求。這有助于盛弘電氣增強產品競爭力，提高客戶信任度。
雙方合作誕生的解決方案一旦推廣應用，也在一定程度上擴大了英飛凌作為SiC器件供應商的行業(yè)影響力。搭載英飛凌SiC MOSFET的盛弘電氣儲能變流器在儲能市場的滲透，也為英飛凌SiC器件更好地切入儲能領域打開了一個突破口。
除與盛弘電氣合作外，英飛凌近期還與全球SiC全產業(yè)鏈龍頭企業(yè)Wolfspeed、SiC晶圓供應商韓國SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS以及國內車載電源廠商富特科技達成了SiC相關合作，以期進一步鞏固SiC器件業(yè)務的行業(yè)地位。
其中，SK Siltron CSS將向英飛凌提供6英寸SiC晶圓，用于SiC功率器件的生產，SK Siltron CSS后期還將協(xié)助英飛凌向8英寸SiC晶圓過渡；Wolfspeed則與英飛凌宣布擴大并延伸現(xiàn)有的6英寸碳化硅（SiC）晶圓長期供應協(xié)議（原有協(xié)議簽定于2018年2月），延伸后的合作將包括一個多年期產能預留協(xié)議。與這兩家廠商合作，有助于英飛凌實現(xiàn)SiC晶圓的長期穩(wěn)定供應，為穩(wěn)定SiC器件產能提供材料保障。
而富特科技專注于新能源汽車高壓核心零部件產品的技術研發(fā)及制造，與英飛凌合作，有利于富特科技在車載電源解決方案中引入先進的SiC技術，優(yōu)化產品性能，提升競爭力，也為英飛凌SiC器件在車載電源產品中拓展應用創(chuàng)造了更多機會。
未來，為滿足新能源汽車、光儲充、軌道交通、智能電網(wǎng)等領域對SiC功率器件日益增長的市場需求，挑戰(zhàn)意法半導體作為全球第一大SiC功率器件供應商的王座，英飛凌有望與SiC全產業(yè)鏈更多玩家合作共贏。
英飛凌加碼GaN布局
在相繼牽手SiC相關廠商的同時，英飛凌業(yè)務布局也不斷向GaN領域延伸。近日，英飛凌宣布與安克創(chuàng)新（Anker Innovations）在深圳聯(lián)合成立創(chuàng)新應用中心。該應用中心已于2023年12月底正式揭牌并投入使用。
據(jù)悉，該中心將基于英飛凌新一代混合反激式（HFB）控制器產品系列和用于100 W以上快充充電器的CoolGaN IPS產品系列進行開發(fā)，為市場提供更高功率密度與高能效的PD快充解決方案。
此前，安克創(chuàng)新已在2022年推出了采用英飛凌CoolGaN技術的100W 以上快充產品，通過聯(lián)合成立創(chuàng)新中心，英飛凌和安克創(chuàng)新將進一步深化合作，加速產品研發(fā)，從而更好地將英飛凌GaN技術引入快充領域。
自2023年以來，英飛凌在GaN領域明顯加快了腳步。2023年5月，作為項目主導方，英飛凌宣布將參與一個由45家合作伙伴共同建設的歐洲聯(lián)合科研項目ALL2GaN，目的是開發(fā)從芯片到模塊的集成GaN功率設計，主要面向電信、數(shù)據(jù)中心和服務器等應用。
隨后在2023年10月，英飛凌以8.3億美元完成收購GaN Systems。GaN Systems是全球前五大GaN功率器件廠商之一，收購GaN Systems后，英飛凌在一定程度上改變了GaN功率器件市場競爭格局，引發(fā)業(yè)界震動。
與SiC一樣，GaN在新能源汽車、光儲充等領域有較大發(fā)展空間，在完成大手筆并購后，在GaN領域打下良好基礎的英飛凌，未來有望在GaN市場進一步加強攻勢。
小結
SiC與GaN功率器件市場規(guī)模在未來數(shù)年都將保持較高增速，據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球SiC功率半導體市場分析報告》數(shù)據(jù)，2022年全球SiC功率器件市場規(guī)模約16.1億美元，至2026年可達到53.3億美元，CAGR達35%；據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導體市場分析報告》顯示，全球GaN功率器件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，CAGR高達65%。
為形成規(guī)模優(yōu)勢，搶占更多市場份額，強強合作是可行之法，未來，大概率將有更多SiC、GaN頭部廠商出現(xiàn)在英飛凌朋友圈。
除英飛凌外，其他廠商也可能捆綁形成新陣營，盡管競爭將越發(fā)激烈，但能夠促進第三代半導體產業(yè)蓬勃發(fā)展。（文：集邦化合物半導體Zac）
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