英飛凌與現(xiàn)代、起亞簽署多年期功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 10 月 18 日 17:54 | 分類 企業(yè)

英飛凌、現(xiàn)代汽車和起亞汽車10月18日發(fā)布聲明稱,三方已簽署一項(xiàng)多年期SiC和Si功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議。

根據(jù)協(xié)議,英飛凌將在2030年前向現(xiàn)代起亞供應(yīng)SiC和Si功率模塊與芯片,現(xiàn)代起亞則會(huì)出資支持英飛凌的產(chǎn)能建設(shè)與儲(chǔ)備。

SiC等功率器件隨著新能源車的需求增加而爆火,作為業(yè)內(nèi)龍頭之一的英飛凌,今年與諸多企業(yè)展開了合作。

英飛凌與Resonac

今年1月,英飛凌官網(wǎng)宣布,他們?cè)僖淮闻cResonac Co., Ltd.(原昭和電工株式會(huì)社)簽署了一項(xiàng)新的多年供應(yīng)和合作協(xié)議。

根據(jù)新協(xié)議,Resonac將為英飛凌提供生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體元器件的SiC材料,包括6英寸和8英寸外延片。初期將以6英寸為主,后期也將供應(yīng)8英寸SiC外延片,為英飛凌向8英寸晶圓轉(zhuǎn)型提供充分的材料支撐。此外,作為協(xié)議的一部分,英飛凌也將為Resonac提供SiC材料技術(shù)相關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

英飛凌與天岳先進(jìn)、天科合達(dá)

5月,英飛凌宣布分別與天科合達(dá)和天岳先進(jìn)簽訂了長(zhǎng)期協(xié)議,以確保獲得更多而且具有競(jìng)爭(zhēng)力的碳化硅材料供應(yīng)。

據(jù)悉,天科合達(dá)和天岳先進(jìn)主要為英飛凌提供6英寸碳化硅襯底,同時(shí)還將提供8英寸碳化硅材料,助力英飛凌向8英寸SiC晶圓過渡。

此外,協(xié)議還包括碳化硅晶錠,這是因?yàn)橛w凌曾投資近10億元收購了一家激光冷剝離企業(yè),未來英飛凌將通過自主激光技術(shù)提升碳化硅襯底的利用率,提升器件的成本競(jìng)爭(zhēng)力。

值得一提的是,天岳先進(jìn)、天科合達(dá)的供應(yīng)量均將占到英飛凌長(zhǎng)期需求量的兩位數(shù)份額。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

英飛凌與鴻海集團(tuán)

同月,據(jù)鴻海集團(tuán)官網(wǎng)介紹,英飛凌與鴻海集團(tuán)已簽訂一份合作備忘錄,兩家公司將在電動(dòng)車領(lǐng)域建立長(zhǎng)期合作關(guān)系。根據(jù)協(xié)議,雙方將聚焦于碳化硅技術(shù)在電動(dòng)車大功率應(yīng)用的導(dǎo)入,如:牽引逆變器、車載充電器以及直流轉(zhuǎn)換器等。此外,雙方還計(jì)劃在中國臺(tái)灣共同設(shè)立系統(tǒng)應(yīng)用中心,以進(jìn)一步擴(kuò)大雙方的合作范圍。

英飛凌與Schweizer Electronic

同時(shí),英飛凌還與Schweizer Electronic宣布攜手合作,雙方將通過創(chuàng)新合作進(jìn)一步提升碳化硅芯片的效率。目前,雙方正在開發(fā)一款新的解決方案,旨在將英飛凌的 1200V CoolSiC?芯片直接嵌入PCB板,以顯著提高電動(dòng)汽車的續(xù)航里程,并降低系統(tǒng)總成本。

英飛凌與英飛源

9月,英飛凌宣布與深圳英飛源(Infypower)合作,其將為 INFY 提供業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V CoolSiC?MOSFET 功率半導(dǎo)體器件,以提高電動(dòng)汽車充電站的效率。

為了擴(kuò)大產(chǎn)能以達(dá)成在2030年前搶占全球SiC市場(chǎng)30%份額的目標(biāo),英飛凌在今年8月宣布,計(jì)劃在未來五年內(nèi)投資高達(dá)50億歐元,用于在馬來西亞建造全球最大的8英寸SiC功率晶圓廠。(文:化合物半導(dǎo)體Morty整理)

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