SiC領(lǐng)域,芯塔電子和博蘭得電子達(dá)成合作

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 10 月 08 日 17:45 | 分類 企業(yè)

10月8日,安徽芯塔電子科技有限公司(下文簡(jiǎn)稱“芯塔電子”)官方公眾號(hào)發(fā)文稱,公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理倪煒江一行到訪南京博蘭得電子科技有限公司(下文簡(jiǎn)稱“博蘭得電子”),與博蘭得董事長(zhǎng)徐明博士進(jìn)行深入交流。雙方在器件供應(yīng)、市場(chǎng)拓展、應(yīng)用開(kāi)發(fā)、技術(shù)創(chuàng)新、資源整合等方面合作達(dá)成一致,共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。

芯塔電子成立于2020年10月,專注于為客戶提供第三代半導(dǎo)體功率器件和應(yīng)用整體解決方案,產(chǎn)品包括SiC SBD、SiC MOSFET、SiC功率模塊等,可用于光伏儲(chǔ)能、高端電源、新能源汽車、充電樁等清潔能源領(lǐng)域。

據(jù)悉,南京博蘭得電子科技有限公司是全球領(lǐng)先的電力電子及新能源產(chǎn)品供應(yīng)商,國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè),為新能源、汽車、工業(yè)、特種、醫(yī)療等市場(chǎng)提供多種產(chǎn)品及系統(tǒng)解決方案。

核心技術(shù)方面,芯塔電子自主研發(fā)的第五代SiC二極管,采用國(guó)際最先進(jìn)MPS技術(shù),產(chǎn)品性能大幅提升,總體成本下降30%以上。第二代SiC MOSFET基于自主工藝技術(shù)平臺(tái)設(shè)計(jì),同時(shí)布局了包括溝槽型SiC MOSFET技術(shù)在內(nèi)的多項(xiàng)專利,避開(kāi)了國(guó)外的專利限制;從性能上看,產(chǎn)品優(yōu)值因子性能高,柵極抗干擾能力強(qiáng)、可靠性高。

source:芯塔電子

產(chǎn)品進(jìn)度方面,芯塔電子2022年推出了五款650V-1700V電壓等級(jí)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)SiC MOSFET,并且已經(jīng)通過(guò)企業(yè)內(nèi)部車規(guī)論證測(cè)試評(píng)估,其中數(shù)款主打型號(hào)計(jì)劃在今年初通過(guò)權(quán)威第三方車規(guī)論證。2023年,公司將推出4-6款SiC MOSFET產(chǎn)品,包括新能源汽車主驅(qū)應(yīng)用功率芯片、第三代SiC MOS產(chǎn)品等。新產(chǎn)品將進(jìn)一步縮小芯片尺寸并優(yōu)化性能,同時(shí)降低成本。

Source:芯塔電子

芯塔電子SiC MOSFET已批量出貨南京博蘭得20KW直流充電模塊產(chǎn)品?;诓┨m得專利技術(shù),該產(chǎn)品采用SiC方案后,可做到全范圍高效輸出,峰值效率可達(dá)97.5%,平均滿載效率高于96%,領(lǐng)先業(yè)界平均水平2%。

今年6月,芯塔電子完成了近億元的Pre-A輪融資。倪煒江表示:芯塔電子車規(guī)級(jí)SiC模塊產(chǎn)線已經(jīng)在浙江湖州完成落地,將于2023年底前完成通線。

截至目前,芯塔電子SiC MOSFET已經(jīng)在博蘭得等近十家充電樁下游客戶批量導(dǎo)入,深受市場(chǎng)好評(píng),成為業(yè)界知名的國(guó)內(nèi)碳化硅器件品牌供應(yīng)商。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)

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