10月8日，英諾賽科官方公眾號發(fā)文表稱，數(shù)據(jù)中心采用全鏈路GaN設計方案，能夠提高能源轉(zhuǎn)換效率，將系統(tǒng)損耗降低50%。
據(jù)悉，英諾賽科從前端PSU電源到主板DC/DC模塊，以及芯片的直接供電方面，都提供了GaN方案。
前端PSU電源方面，英諾賽科推出 2kW PSU參考設計，采用圖騰柱無橋PFC+LLC結(jié)構，效率高達96.5%，體積僅為185*65*35(mm3)，完美符合 80 Plus 鈦金級能效。
英諾賽科SVP產(chǎn)品負責人孫毅表示，目前服務器電源功率已經(jīng)從800W上升到了現(xiàn)在的1.3KW、甚至有的上升到了4KW，面對這樣大的提升，對功率密度以及效率都提出了高要求。
GaN與SiC和Si器件相比，開通與關斷損耗下降了至少50%，并且沒有反向恢復損耗，可以輕松滿足鈦金級效率需求。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
針對目前逐漸流行的48V供電架構，英諾賽科推出了從420W-1000W的IBC電源模塊，最高功率密度達2200W/in^3。
與Si方案相比，采用GaN的系統(tǒng)方案可將有效占空比提高7%，死區(qū)降低43.8%，原邊有效電流降低7.3%，副邊有效電流降低5.2%；方案中的器件、變壓器、PCB等總損耗降低20%，可以使效率提升0.5%以上；基于系統(tǒng)38W散熱條件下，Si方案輸出功率960W，GaN方案可以輸出1100W，功率密度可以提高15%以上。
最后到核心供電方面，英諾賽科采用氮化鎵設計的Vcore核心供電方案，支持MHz以上開關頻率，減小無源元件體積從而提高功率密度，同時InnoGaN能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率和更低的成本，打造系統(tǒng)優(yōu)勢。
相比于700~800kHz 的傳統(tǒng)Si方案，GaN頻率提升至1.5MHz以上，電感等無源元件體積減小，power stage功率密度預計提升超過30%；預計能夠幫助系統(tǒng)效率提升超過1%，從而減少系統(tǒng)損耗。
如果說SiC能夠快速發(fā)展是借著電動汽車市場起的勁，那么GaN想要快速發(fā)展，AI的東風不能不借。
隨著人工智能的市場爆火，許多廠商將目光轉(zhuǎn)向工業(yè)市場，其中數(shù)據(jù)中心為關鍵場景。ChatGPT已掀起AI云端服務器建置浪潮，GaN將助力數(shù)據(jù)中心降低運營成本，并提高服務器運行效率。
集邦咨詢預估，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率高達65%。
英諾賽科作為GaN功率元件市場領先廠商，現(xiàn)在開始敲響了GaN功率元件應用于數(shù)據(jù)中心的大門。（文：集邦化合物半導體Morty整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。