連科半導(dǎo)體8吋碳化硅電阻式長(zhǎng)晶爐獲得數(shù)十臺(tái)批量驗(yàn)收

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 11 月 28 日 17:50 | 分類 產(chǎn)業(yè)

11月28日,據(jù)“連城數(shù)控”官微消息,近日連科半導(dǎo)體8吋碳化硅(SiC)電阻式長(zhǎng)晶爐(型號(hào):PVT-RS-40)在客戶現(xiàn)場(chǎng)完成批量驗(yàn)收。

與此同時(shí),連科半導(dǎo)體還成功制備出了直徑超210毫米,厚度30毫米的8吋導(dǎo)電型碳化硅晶體,晶體表面光滑無(wú)缺陷。

source:連城數(shù)控

據(jù)介紹,連科半導(dǎo)體的8吋碳化硅電阻式長(zhǎng)晶爐,通過(guò)石墨電阻發(fā)熱,熱輻射傳導(dǎo)石墨坩堝進(jìn)行加熱,可調(diào)整石墨加熱器的結(jié)構(gòu),有效的進(jìn)行分區(qū)功率控制和溫場(chǎng)的控制,更適合生長(zhǎng)大尺寸的碳化硅晶體。

值得一提的是,今年10月底,連科半導(dǎo)體的液相法碳化硅(感應(yīng))加熱長(zhǎng)晶爐及液相法碳化硅電阻加熱長(zhǎng)晶爐已在客戶現(xiàn)場(chǎng)完成驗(yàn)收。

連城數(shù)控表示,液相法技術(shù)在細(xì)分領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)逐步凸顯,尤其適用于生長(zhǎng)P型碳化硅襯底,不僅可以實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)低位錯(cuò)密度、高品質(zhì)的碳化硅晶片,還能顯著提升碳化硅晶片的生產(chǎn)成品率并降低成本。

目前來(lái)看,液相法長(zhǎng)晶技術(shù)已然成為技術(shù)和產(chǎn)業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。然而,在產(chǎn)業(yè)化落地的道路上還需設(shè)備制造商與襯底生產(chǎn)商高度協(xié)作與配合,共同推進(jìn)國(guó)內(nèi)液相法技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。(來(lái)源:連城數(shù)控、集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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