法國創(chuàng)新半導(dǎo)體材料領(lǐng)先企業(yè)Soitec近日發(fā)表公告,其在法國格勒諾布爾附近的伯寧舉行了新工廠落成儀式。
此前2022年3月消息,Soitec宣布在法國伯寧總部建設(shè)Bernin 4新工廠,致力于制造6英寸和8英寸的 SmartSiC晶圓。同年3月該工廠舉行了奠基儀式。
根據(jù)法國媒體的報道,該工廠投資額為3.8億歐元(約30億人民幣),其中30%由法國和歐洲援助承擔(dān)。根據(jù)公告,該工廠占地面積2500平方米,2028年全部達成后可年產(chǎn)50萬片,其中80%專用于SmartSiC晶圓,20%生產(chǎn)300mm SOI晶圓。
圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
該公司表示,新工廠將專門生產(chǎn)電動汽車所需要的SmartSiC襯底,Soitec開發(fā)的SmartCut技術(shù)可使SiC器件電氣性能提高了15%-20%,襯底的消耗量減少了十分之一。
具體而言,通過SmartSiC?技術(shù)的應(yīng)用,每個SiC襯底可以使用10次。因此,SmartSiC?使電動汽車的續(xù)航里程超過500公里,而使用硅基IGBT的汽車平均續(xù)航里程為350公里,同時與單晶SiC襯底相比,晶圓制造過程中的二氧化碳排放量減少了70%。
Soitec 首席執(zhí)行官Pierre Barnabé 表示:“我們比以往任何時候都更愿意將SmartSiC技術(shù)建立為下一代電動汽車半導(dǎo)體材料的新標(biāo)準(zhǔn)。該工廠將使我們能夠滿足對碳化硅不斷增長的需求,并到2030年實現(xiàn)30%的市場份額,同時幫助提高電動汽車的效率和降低價格?!?/p>
現(xiàn)階段,Bernin 4新工廠主要生產(chǎn)6英寸SiC晶圓,計劃從2024年開始遷移到8英寸晶圓。新工廠的第一個測試樣品和資格認證將在2個月內(nèi)開始發(fā)貨,計劃于2024年春末開始大批量交付。
(文:全球半導(dǎo)體觀察)
更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。