氮化鎵（GaN）材料具有寬禁帶、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿電壓、化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，以及較強(qiáng)的抗輻射、抗高溫、抗高壓能力，這些特性使得氮化鎵在功率半導(dǎo)體器件、光電子器件以及射頻電子器件等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
目前，功率氮化鎵在消費(fèi)電子領(lǐng)域應(yīng)用已漸入佳境，并正在逐步向各類(lèi)應(yīng)用... [詳內(nèi)文]
機(jī)器人，氮化鎵下一個(gè)風(fēng)口？ |
| 作者 chen, zac|發(fā)布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN |
