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2月14日，英飛凌宣布成功推出首批采用8英寸晶圓工藝制造的碳化硅（SiC）產(chǎn)品。據(jù)悉，這些產(chǎn)品將在奧地利菲拉赫制造，為包括可再生能源、火車和電動汽車在內(nèi)的高壓應用提供一流的碳化硅功率技術。

這一舉措標志著英飛凌在碳化硅技術應用上邁出了重要一步，有望進一步提升相關領域的能源效率和性能表現(xiàn)。尤其在電動汽車領域，英飛凌不斷拓展合作版圖。

英飛凌在生產(chǎn)布局上也有著重大進展，其位于馬來西亞居林的制造基地正順利從150毫米晶圓向200毫米直徑晶圓轉換，其新建Module 3 廠房已準備好根據(jù)市場需求開始大規(guī)模生產(chǎn)。

2022年2月，英飛凌宣布斥資逾20億歐元在居林工廠建造第三廠區(qū)（Module3廠），目前該廠已正式落成并開始運作，預計2025年開始量產(chǎn)。初期碳化硅生產(chǎn)以6寸晶圓為主，計劃在2027年全面轉向8寸晶圓生產(chǎn)。英飛凌表示已獲得約50億歐元的新設計訂單以及來自現(xiàn)有和新客戶的10億歐元左右的預付款，用于廠房的持續(xù)擴建，部分設計訂單來自6家汽車OEM廠商。

此外，英飛凌還在新聞稿中表示，居林工廠與菲拉赫生產(chǎn)基地協(xié)同發(fā)展，英飛凌位于馬來西亞居林的第三廠區(qū)與位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地緊密相連，形成了一個專注于寬帶隙（WBG）技術的“虛擬協(xié)同工廠”。這個虛擬工廠可以共享技術和工藝，實現(xiàn)快速量產(chǎn)和平穩(wěn)高效地運營。

這種協(xié)同有助于產(chǎn)能的提升。據(jù)悉，英飛凌已于2023年提高了菲拉赫工廠在碳化硅和氮化鎵功率半導體方面的產(chǎn)能。這種緊密結合的兩座生產(chǎn)基地，實際上形成了一個專注于寬禁帶技術的“虛擬協(xié)同工廠”，可以共享技術和工藝。

英飛凌預計，通過在菲拉赫與居林工廠的200毫米SiC改造，有望使SiC的年營收達到約70億歐元。英飛凌的目標是在2030年之前占據(jù)全球30% SiC市場份額。

早在技術研發(fā)方面，2024 年 5 月，英飛凌就推出了新一代400V碳化硅MOSFET系列，這是第二代（G2）CoolSiC?技術的升級版。與市場現(xiàn)有的650V SiC和Si MOSFET相比，具有超低的傳導和開關損耗。作為AI服務器電源裝置的AC/DC級，采用多級PFC，功率密度達到 100W/in3以上，效率高達99.5%，與采用650V SiC MOSFET的解決方案相比，提高了0.3個百分點。這一技術突破為數(shù)據(jù)中心等領域的能源高效利用提供了有力支持。

值得注意的是，2025年1月29日，據(jù)Power Electronics World報道，國際汽車供應商Forvia Hella已選擇英飛凌1200V汽車級SiC MOSFET作為其下一代800V DC/DC充電解決方案。英飛凌的CoolSiCMOSFET采用Q – DPAK封裝，專為800V汽車架構中的車載充電器和DCDC應用而設計，此次合作將助力Forvia Hella打造更高效的充電解決方案，也進一步鞏固了英飛凌在汽車碳化硅應用市場的地位。