Author Archives: KikiWang

印度積極布局第三代半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 10:36 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近年，印度積極推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體正受到極大關(guān)注。 近期，外媒報道，印度信息技術(shù)部長阿什維尼·瓦伊什納透露，首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相，同時，印度也正在研發(fā)氮化鎵芯片。 據(jù)悉，印度已向位于班加羅爾的科學(xué)研究所 (IISc) ...  [詳內(nèi)文]

中國電科、三安光電、中瓷電子碳化硅產(chǎn)品順利供貨
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 10:33 | 分類 功率 , 碳化硅SiC
近日，碳化硅領(lǐng)域喜訊頻傳，中國電科、三安光電和中瓷電子紛紛在業(yè)務(wù)上取得關(guān)鍵突破，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動力。 中國電科：30臺套SiC外延設(shè)備順利發(fā)貨 近日，據(jù)中國電科官微消息，其所屬的48所成功實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體SiC外延設(shè)備的首次大規(guī)模批量發(fā)貨，共計30臺套。截至目前，中...  [詳內(nèi)文]

120億元化合物半導(dǎo)體基地項目正在加速崛起！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 10:29 | 分類 光電 , 射頻 , 碳化硅SiC
據(jù)長江日報消息，近日，先導(dǎo)化合物半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)基地項目四座生產(chǎn)廠房中，兩座已封頂，另兩座正加緊澆筑。 source：先導(dǎo)科技集團(tuán) 消息稱，該項目位于高新六路以南、光谷五路以東，建筑面積26萬平方米，共19棟建筑，包括研發(fā)中心、生產(chǎn)調(diào)度中心、辦公大樓等，整個項目力爭2025年年底...  [詳內(nèi)文]

江蘇再添一碳化硅項目！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 18 日 11:15 | 分類 功率 , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，連云港市生態(tài)環(huán)境局公布了對“連云港鴻蒙硅材料有限公司年產(chǎn)1.5萬噸碳化硅高級研磨材料及年產(chǎn)10萬件碳化硅陶瓷制品項目”環(huán)評文件擬審批意見。 source：連云港市生態(tài)環(huán)境局 據(jù)介紹，本項目產(chǎn)品為碳化硅粉和碳化硅陶瓷。碳化硅粉可廣泛用于耐火材料、磨料、陶瓷、半導(dǎo)體、復(fù)合材料...  [詳內(nèi)文]

環(huán)球晶預(yù)計，6英寸SiC襯底價格將保持穩(wěn)定
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 18 日 11:11 | 分類 碳化硅SiC
環(huán)球晶董事長徐秀蘭近日表示，主流6英寸碳化硅（SiC）襯底的價格已經(jīng)穩(wěn)定，但市場反彈仍不確定。中國臺灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC襯底，盡管2025年對SiC的市場預(yù)期仍較為保守，但2026年的前景似乎更為樂觀。 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究數(shù)據(jù)指出，SiC在汽車、可再生...  [詳內(nèi)文]

三家功率半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)獲得新一輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 18 日 10:52 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
功率半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的重要細(xì)分領(lǐng)域，近年隨著新能源、汽車電子等領(lǐng)域的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體需求與日俱增，也愈發(fā)受到資本市場關(guān)注。近期，市場傳出三家功率半導(dǎo)體相關(guān)公司獲得新一輪融資，涉及碳化硅、氮化鎵、IGBT等領(lǐng)域。 01瑞為新材完成新一輪股權(quán)融資 2月17日，“君聯(lián)資本”官...  [詳內(nèi)文]

又一功率半導(dǎo)體相關(guān)項目開工！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 17 日 14:52 | 分類 產(chǎn)業(yè)
據(jù)最內(nèi)江消息，2月13日，四川省2025年第一季度重大項目現(xiàn)場推進(jìn)活動內(nèi)江分會場活動在晶導(dǎo)微電子功率半導(dǎo)體（IDM）內(nèi)江基地項目開工現(xiàn)場舉行。 電子功率半導(dǎo)體內(nèi)江基地項目效果圖；source：“內(nèi)江高新”官微   據(jù)介紹，電子功率半導(dǎo)體內(nèi)江基地建設(shè)項目位于內(nèi)江高...  [詳內(nèi)文]

青禾晶元新工廠正式動工，混合鍵合與C2W技術(shù)獲得新突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 17 日 14:49 | 分類 碳化硅SiC
在半導(dǎo)體行業(yè)蓬勃發(fā)展，5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等技術(shù)驅(qū)動芯片性能需求攀升的當(dāng)下，先進(jìn)鍵合技術(shù)成為產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵。 近日，青禾晶元在混合鍵合與C2W技術(shù)上取得突破。其青禾晶元新廠房鍵合設(shè)備二期擴(kuò)產(chǎn)線及總部辦公建設(shè)項目已正式開工，項目建成投產(chǎn)后，預(yù)計年產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備約100臺套，年產(chǎn)值近1...  [詳內(nèi)文]

英飛凌官宣，首批8英寸SiC產(chǎn)品問世
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 17 日 14:45 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 功率 , 碳化硅SiC
2月14日，英飛凌宣布成功推出首批采用8英寸晶圓工藝制造的碳化硅（SiC）產(chǎn)品。據(jù)悉，這些產(chǎn)品將在奧地利菲拉赫制造，為包括可再生能源、火車和電動汽車在內(nèi)的高壓應(yīng)用提供一流的碳化硅功率技術(shù)。 這一舉措標(biāo)志著英飛凌在碳化硅技術(shù)應(yīng)用上邁出了重要一步，有望進(jìn)一步提升相關(guān)領(lǐng)域的能...  [詳內(nèi)文]

中國碳化硅新動作，涉及爍科晶體/理想汽車
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 14 日 17:06 | 分類 碳化硅SiC
近期，中國碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)又傳來兩條重磅消息：爍科晶體二期項目全面投產(chǎn)，新增20萬片產(chǎn)能；理想汽車自研碳化硅功率芯片完成裝機(jī)，純電車型將陸續(xù)搭載。 爍科晶體：二期項目全面投產(chǎn) 據(jù)“投資山西”2月10日消息，爍科晶體的二期碳化硅產(chǎn)線已經(jīng)全面投產(chǎn)，將為爍科晶體帶來每年20萬片碳化...  [詳內(nèi)文]