氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，以其高頻、高電子遷移率、強(qiáng)輻射抗性、低導(dǎo)通電阻以及無反向恢復(fù)損耗等顯著優(yōu)勢(shì)，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出極大的應(yīng)用潛力，并吸引相關(guān)廠商持續(xù)布局。
近期，市場(chǎng)傳出元芯半導(dǎo)體、賽微電子等公司在氮化鎵領(lǐng)域的新動(dòng)態(tài)。
元芯推出高性能氮化鎵功率器件
近日，元芯半導(dǎo)體正式發(fā)布全新一代集成化GaN功率芯片ezGaN系列，采用全集成設(shè)計(jì)，將高壓GaN晶體管、智能驅(qū)動(dòng)電路、多重保護(hù)功能（過壓/過流/過溫）及無損電流監(jiān)測(cè)模塊整合于單一封裝內(nèi)。
上述產(chǎn)品具備如下特點(diǎn)：精準(zhǔn)無損電流采樣；超寬范圍VCC供電 （5V to 40V）；可配置驅(qū)動(dòng)速度，優(yōu)化EMI設(shè)計(jì)；超短驅(qū)動(dòng)延時(shí)（5ns)；超短有效PWM脈寬（1.4ns)；支持更高頻率工作(50MHz)；集成溫度采樣和過溫保護(hù)；200V/ns dv/dt耐受能力。
?資料顯示，元芯半導(dǎo)體以高性能高可靠性模擬芯片解決方案和第三代半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)為核心，面向光伏儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、5G通訊等領(lǐng)域，提供硅基高性能模擬芯片和第三代半導(dǎo)體功率芯片一站式系統(tǒng)整體解決方案，推動(dòng)低能耗高性能高可靠性功率電子技術(shù)的發(fā)展以滿足節(jié)能減碳的迫切需求。
比亞迪&大疆：車載無人機(jī)采用氮化鎵技術(shù)
近期，比亞迪、大疆共同發(fā)布了智能車載無人機(jī)系統(tǒng)——靈鳶。
靈鳶系統(tǒng)采用雙側(cè)對(duì)夾式100W快充模塊，采用氮化鎵材料將充電效率提升至94%，-30℃低溫環(huán)境下仍可30分鐘補(bǔ)電60%。
這不是大疆無人家首次采用氮化鎵技術(shù)，去年7月，大疆發(fā)布了電助力山地車 Amflow PL、Avinox 電助力系統(tǒng)兩大產(chǎn)品，后者就支持氮氮化鎵3倍快充技術(shù)，其采用的12A/508W 快充充電器的充電速度是 4A/168W普通充電器的 3 倍，800瓦時(shí)電池電量從0%充到75%僅需約1.5小時(shí)。
貝爾金發(fā)布11合1 Pro GaN擴(kuò)展塢
近期，貝爾金（Belkin）推出升級(jí)版移動(dòng)電源、頭戴式耳機(jī)以及11 合 1 Pro GaN 擴(kuò)展塢等多款新品。
這款擴(kuò)展塢內(nèi)置電源適配器，供電方面，僅需一根電源線連接插座。該擴(kuò)展塢最大供電功率150W，單個(gè)USB-C端口支持96W，滿足16英寸MacBook Pro 需求，此外提供7.5W、15W和20W充電端口，適用于iPhone、iPad等設(shè)備。
同時(shí)，該款擴(kuò)展塢配備 11 個(gè)端口，包括10Gb/s USB-A、10Gb/s USB-C、5Gb/s USB-C、96W PD USB-C、3.5mm音頻輸入/輸出、SD卡槽、micro SD卡槽、兩個(gè)HDMI 2.0端口和千兆以太網(wǎng)端口。
賽微電子：氮化鎵芯片處于工藝開發(fā)階段
近期，賽微電子在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露了相關(guān)產(chǎn)線進(jìn)展情況，其表示：
深圳產(chǎn)線的相關(guān)工作正在開展中；MEMS先進(jìn)封裝測(cè)試業(yè)務(wù)目前仍處于建設(shè)階段。
在試驗(yàn)線層面，截至目前已在公司MEMS基地（北京FAB3）建成并運(yùn)營(yíng)，與客戶需求對(duì)接、工藝技術(shù)開發(fā)、部分產(chǎn)品試制等相關(guān)活動(dòng)已在公司現(xiàn)有條件下展開，工藝技術(shù)團(tuán)隊(duì)搭建持續(xù)進(jìn)行，與項(xiàng)目相關(guān)的設(shè)備采購(gòu)已大規(guī)模實(shí)施，該項(xiàng)目實(shí)施主體賽積國(guó)際目前已在公司控股子公司賽萊克斯北京MEMS基地內(nèi)租賃部分空間并建成一條小規(guī)模試驗(yàn)線。
在商業(yè)線層面，基于產(chǎn)線選址、資源要素、發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃等方面的考量，公司仍在謹(jǐn)慎商討決策具體建設(shè)方案，有可能是在現(xiàn)有廠房中推進(jìn)建設(shè)；基于MEMS工藝的氮化鎵芯片仍處于工藝開發(fā)階段，還需要時(shí)間；公司已持續(xù)開發(fā)、量產(chǎn)各自不同型號(hào)類別的濾波器；公司與武漢敏聲保持長(zhǎng)期、穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作關(guān)系。（集邦化合物半導(dǎo)體flora整理）
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