英諾賽科敲鐘上市

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 12 月 30 日 14:33 | 分類 企業(yè)

12月30日,英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡稱“英諾賽科”,股票代碼02577.HK)在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。

source:英諾賽科

本次英諾賽科向全球發(fā)售4536.4萬股H股,每股發(fā)行價為30.86港元。此次募集資金主要用于擴大氮化鎵產(chǎn)能、產(chǎn)品組合以及應用研發(fā)等。

據(jù)悉,英諾賽科成立于2017年,是一家專注于第三代半導體氮化鎵芯片研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè),產(chǎn)品主要包括分立器件、集成電路、晶圓、模組等。截至2023年末,以折算氮化鎵分立器件出貨量計,英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體公司中市場份額排名第一,市占率高達42.4%。

01、搶先駛?cè)?英寸氮化鎵領(lǐng)域

氮化鎵作為第三代半導體代表材料,與硅及其他半導體材料相比,氮化鎵具有高頻、電子遷移率高、導通電阻低、無反向恢復損耗等顯著優(yōu)勢。氮化鎵功率半導體芯片能夠有效降低能量損耗,提升能源轉(zhuǎn)換效率,降低系統(tǒng)成本,實現(xiàn)更小的器件尺寸。

在制造方面,氮化鎵(GaN)晶體可以在各種襯底上生長,包括藍寶石、碳化硅(SiC)和硅(Si)。在硅上生長氮化鎵外延層(GaN-on-Si)可以使用現(xiàn)有的硅半導體設備,而且可采用低成本、大直徑的硅晶片。

此外,目前8英寸硅的設備及流程較6英寸硅更為成熟高效,8英寸氮化鎵的生產(chǎn)更具競爭優(yōu)勢。在全球其他氮化鎵功率半導體公司如EPC、英飛凌、納微半導體、Power Integrations等公司提供6英寸產(chǎn)品為主時,英諾賽科已切入8英寸領(lǐng)域。

早在2017年底,英諾賽科珠海制造工廠建成投產(chǎn),成為中國首條完整的8英寸硅基氮化鎵晶圓與功率器件量產(chǎn)生產(chǎn)線,主要產(chǎn)品包括8英寸硅基氮化鎵晶圓及100V-650V氮化鎵功率器件。

2021年10月,英諾賽科位于蘇州的制造廠建成投產(chǎn),該制造廠是全球最大8英寸硅基氮化鎵晶圓制造廠。

source:英諾賽科

在招股說明書中,英諾賽科表示其已成為全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業(yè)。受益于先進的8英寸工藝,其每片晶圓的晶粒產(chǎn)出數(shù)提升80%,單顆芯片成本降低30%,且良率超過95%。

據(jù)TrendForce集邦咨詢報告顯示,2023年全球氮化鎵功率元件市場規(guī)模約2.71億美元,至2030年有望上升至43.76億美元,CAGR高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%,汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅(qū)動等場景為核心。

2024年上半年,英諾賽科氮化鎵晶圓總產(chǎn)能提升至7.3萬片。其中,蘇州生產(chǎn)基地產(chǎn)能為4.9萬片/年,利用率為71.8%;珠海生產(chǎn)基地2.4萬片/年,利用率為74.8%。

source:英諾賽科招股書

本次公開募資,資金主要也將用于氮化鎵產(chǎn)能擴張,其中約60%用來擴大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能、購買及升級生產(chǎn)設備及機器以及招聘生產(chǎn)人員。約20%將用于研發(fā)及擴大公司的產(chǎn)品組合,以提高氮化鎵產(chǎn)品在終端市場(如消費電子產(chǎn)品、可再生能源及工業(yè)應用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心)的滲透率。

02、企業(yè)盈利能力不斷增強

眾所周知,IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式是半導體產(chǎn)業(yè)中耗資最多、難度最大的一種商業(yè)模式。英諾賽科一成立便選用了IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,目標實現(xiàn)從設計、制造到測試的整個過程的自主控制。

短期來看,IDM模式在產(chǎn)能提升階段經(jīng)歷需投入大量資本及研發(fā)支出的周期過程,可能會導致業(yè)績的短期虧損。

但從長期看,相較于無晶圓廠設計公司,英諾賽科的設計與制造過程協(xié)同度更高、產(chǎn)能供應鏈更為穩(wěn)定、工業(yè)規(guī)模生產(chǎn)更具成本優(yōu)勢以及工藝技術(shù)可持續(xù)升級。

據(jù)招股書顯示,2021年、2022年和2023年,英諾賽科的營收分別約為6821.5萬元、1.36億元和5.93億元,經(jīng)調(diào)整凈虧損分別約為10.81億元、12.77億元和10.16億元。

2024上半年,英諾賽科營收約為3.86億元,較2023年同期的3.08億元增長25.22%,經(jīng)調(diào)整凈虧損約為3.78億元,相較于2023年同期減少虧損1.71億元。

source:英諾賽科招股書

營收快速成長,虧損逐年收窄,從側(cè)面體現(xiàn)出市場對英諾賽科產(chǎn)品的認可度正在逐步增強。

英諾賽科的快速成長也吸引了資本市場的青睞。2018年至2024年,英諾賽科累計進行了5輪融資,融資總額達到62.3億元。投資方包含鈦信資本、毅達資本、創(chuàng)新證券、海富產(chǎn)業(yè)基金、永剛集團、國民創(chuàng)投、招銀國際資本、朗瑪峰創(chuàng)投、SK中國、ARM等機構(gòu)和企業(yè)。

在開啟全球招股之后,英諾賽科與基石投資者意法半導體、江蘇國有企業(yè)混合所有制改革基金(有限合伙)、江蘇蘇州高端裝備產(chǎn)業(yè)專項母基金(有限合伙)及蘇州東方創(chuàng)聯(lián)投資管理有限公司訂立基石投資協(xié)議,基石投資者們將購入總金額為1億美元的股票。

03、全球氮化鎵行業(yè)加速洗牌

氮化鎵功率半導體從2018年正式進入消費電子,在實現(xiàn)了一定規(guī)模的商業(yè)化之后迎來了高速發(fā)展期。隨著市場逐漸成型,競爭開始白熱化,一些企業(yè)放棄了獨立運行,選擇倚靠行業(yè)巨頭。

從2023年至今,氮化鎵功率半導體頭部玩家 GaN Systems、Transphorm分別被英飛凌、瑞薩電子收購。此外,還有一些小型氮化鎵企業(yè)被頭部企業(yè)吞并,如Power Integrations收購美國垂直氮化鎵晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey、格芯收購Tagore氮化鎵技術(shù)和相關(guān)團隊。

這些企業(yè)之間的并購有利于氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈資源的整合,也重塑了市場格局。面對全球市場競爭格局的加速洗牌,英諾賽科有希望通過本次上市來獲取資金和資源,增強自身實力以抵抗外界壓力。

04、結(jié)語

英諾賽科此次成功上市,對企業(yè)自身和產(chǎn)業(yè)都有著重大意義。從產(chǎn)業(yè)來看,英諾賽科的成功上市,為氮化鎵功率半導體行業(yè)注入信心與動力。從企業(yè)自身出發(fā),隨著英諾賽科在港交所主板的成功上市,有望借助國際資本市場的力量進一步提升其在全球氮化鎵市場的地位。

展望未來,英諾賽科將進一步加速技術(shù)創(chuàng)新和業(yè)務拓展的步伐,提升品牌影響力和市場競爭力,鞏固其作為全球龍頭的地位。(集邦化合物半導體Morty)

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