12月31日，據(jù)中國電子材料行業(yè)協(xié)會消息，中電科半導體材料有限公司所屬山西爍科晶體有限公司近日成功研制出12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅單晶襯底，并同期研制成功12英寸N型碳化硅單晶襯底。
source：中國電子材料行業(yè)協(xié)會
從電化學性質(zhì)差異來看，碳化硅襯底材料可以分為導電型襯底（電阻率區(qū)間15-30mΩ·cm）和半絕緣型襯底（電阻率高于105Ω·cm）。其中，半絕緣型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造射頻器件、光電器件等，導電型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造肖特基二極管、MOSFET、IGBT等功率器件。
爍科晶體此次同時研制出2種12英寸碳化硅襯底，有望推動碳化硅產(chǎn)業(yè)加速向大尺寸晶圓時代前進。
據(jù)悉，晶圓尺寸增大意味著每片晶圓上可以制造更多的芯片，從而提高了生產(chǎn)效率。不僅降低了單個芯片的生產(chǎn)成本，還使得整體制造成本得到優(yōu)化。因此，大尺寸晶圓在經(jīng)濟上具有更高的效益，為制造商帶來了更大的競爭優(yōu)勢。目前，大尺寸晶圓已成為各大廠商共同追求的目標。
除爍科晶體外，天岳先進已于2024年11月13日發(fā)布了12英寸N型碳化硅襯底產(chǎn)品，標志著碳化硅產(chǎn)業(yè)正式邁入超大尺寸碳化硅襯底時代。盡管目前碳化硅襯底領(lǐng)域正在由6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型，但未來向12英寸演進已具有較高的能見度。（集邦化合物半導體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。