富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線開工

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 09 月 13 日 18:00 | 分類 企業(yè)

氧化鎵憑借其性能與成本優(yōu)勢,有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導(dǎo)體材料,近年來熱度不斷上漲,頻頻傳出各類利好消息。

9月12日,據(jù)杭州富加鎵業(yè)科技有限公司(以下簡稱:富加鎵業(yè))官微消息,富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線于9月10日在杭州富陽開工建設(shè)。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

資料顯示,富加鎵業(yè)成立于2019年12月,致力于超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化工作,主要從事氧化鎵單晶材料生長、氧化鎵襯底及外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售工作,產(chǎn)品主要應(yīng)用于功率器件、微波射頻及光電探測等領(lǐng)域。

據(jù)稱,富加鎵業(yè)是國內(nèi)目前唯一一家同時具備6英寸單晶生長及外延的公司,開工建設(shè)的6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線也是國內(nèi)第一條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線。

據(jù)富加鎵業(yè)介紹,氧化鎵單晶可以通過熔體法生長,從而在制備成本、單晶質(zhì)量、缺陷或尺寸等方面相對于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵材料及超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁、金剛石材料有明顯優(yōu)勢。

此外,氧化鎵材料的熱處理溫度及硬度均與單晶硅較為接近,從單晶硅器件線轉(zhuǎn)為氧化鎵器件線僅僅需要更換5%設(shè)備,相比而言,碳化硅材料硬度較大,且熱處理溫度較高,從單晶硅器件線轉(zhuǎn)為碳化硅器件線,需要更換25%設(shè)備。

富加鎵業(yè)表示,現(xiàn)存單晶硅的器件線以6英寸及8英寸為主,氧化鎵單晶材料及外延片需要跨過6英寸門檻后才能進入產(chǎn)業(yè)化快車道?,F(xiàn)階段,富加鎵業(yè)已經(jīng)實現(xiàn)了6英寸導(dǎo)電型及絕緣型氧化鎵單晶襯底的制備,單晶外延技術(shù)也取得重要進展,已達到6英寸硅基器件線產(chǎn)業(yè)化門檻。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解,包括富加鎵業(yè)在內(nèi)的國內(nèi)廠商和研究機構(gòu)正在加速布局氧化鎵產(chǎn)業(yè),并取得了一系列成果。

去年2月,中國電科46所成功制備出6英寸氧化鎵單晶,技術(shù)達到了國際一流水平。

同年10月,北京鎵和半導(dǎo)體有限公司實現(xiàn)了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破,推出多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首發(fā)4英寸(100)面單晶襯底參數(shù)。

而在今年2月,鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院、硅及先進半導(dǎo)體材料全國重點實驗室,采用自主開創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵單晶,并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。在此基礎(chǔ)上,鎵仁半導(dǎo)體于今年7月制備出了3英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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