近日，中微公司、新潔能、芯導(dǎo)科技、立昂微、均勝電子、晶升股份、拓荊科技、天岳先進(jìn)、斯達(dá)半導(dǎo)體、芯聯(lián)集成、納芯微、賽微電子等12家碳化硅/氮化鎵相關(guān)廠商公布了2024年第三季度業(yè)績(jī)。其中，中微公司、新潔能、芯導(dǎo)科技、立昂微4家企業(yè)在Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收凈利雙增長(zhǎng)。
中微公司Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收20.59億元，凈利同比增152.63%
10月29日晚間，中微公司發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。中微公司Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收20.59億元，同比增長(zhǎng)35.96%；歸母凈利潤(rùn)3.96億元，同比增長(zhǎng)152.63%；歸母扣非凈利潤(rùn)3.30億元，同比增長(zhǎng)53.79%。
中微公司主要擁有五類設(shè)備產(chǎn)品，分別是CCP電容性刻蝕機(jī)、ICP電感性刻蝕機(jī)、深硅刻蝕機(jī)、MOCVD、薄膜沉積設(shè)備、VOC設(shè)備。2024年前三季度其刻蝕設(shè)備收入為44.13億元，同比增長(zhǎng)約53.77%。
中微公司積極布局用于碳化硅和氮化鎵基功率器件應(yīng)用的市場(chǎng)，并在Micro-LED和其他顯示領(lǐng)域的專用MOCVD設(shè)備開發(fā)上取得良好進(jìn)展，幾款已付運(yùn)和即將付運(yùn)的MOCVD新產(chǎn)品正在陸續(xù)進(jìn)入市場(chǎng)。
新潔能Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收4.82億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅MOSFET和氮化鎵HEMT
10月28日晚間，新潔能發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。新潔能Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收4.82億元，同比增長(zhǎng)39.45%；歸母凈利潤(rùn)1.15億元，同比增長(zhǎng)70.27%；歸母扣非凈利潤(rùn)1.11億元，同比增長(zhǎng)73.76%。
新潔能主營(yíng)業(yè)務(wù)為MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體功率器件及功率模塊的研發(fā)設(shè)計(jì)及銷售，已陸續(xù)推出車規(guī)級(jí)功率器件、碳化硅MOSFET、氮化鎵HEMT、功率模塊、柵極驅(qū)動(dòng)IC、電源管理IC等產(chǎn)品，電壓覆蓋12V-1700V全系列，重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域包括新能源汽車及充電樁、光伏儲(chǔ)能、AI算力服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心、工控自動(dòng)化、消費(fèi)電子、5G通訊、機(jī)器人、智能家居、安防、醫(yī)療設(shè)備、鋰電保護(hù)等行業(yè)。
在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，新潔能的碳化硅MOSFET部分產(chǎn)品已通過(guò)客戶驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)小規(guī)模銷售，氮化鎵HEMT部分產(chǎn)品已開發(fā)完成并通過(guò)可靠性測(cè)試。
芯導(dǎo)科技Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收0.98億元，開發(fā)了高壓P-GaN HEMT技術(shù)平臺(tái)
10月28日晚間，芯導(dǎo)科技發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。芯導(dǎo)科技Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收0.98億元，同比增長(zhǎng)6.36%；歸母凈利潤(rùn)0.30億元，同比增長(zhǎng)17.18%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.17億元，同比增長(zhǎng)22.95%。
芯導(dǎo)科技專注于模擬集成電路和功率器件的開發(fā)及銷售，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、網(wǎng)絡(luò)通信、安防工控、儲(chǔ)能、汽車電子、光伏逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域。
在功率器件領(lǐng)域，芯導(dǎo)科技針對(duì)GaN HEMT產(chǎn)品開發(fā)了高壓P-GaN HEMT技術(shù)平臺(tái)。在新能源應(yīng)用場(chǎng)景，芯導(dǎo)科技堅(jiān)持GaN相關(guān)器件及驅(qū)動(dòng)控制器的開發(fā)，高整合度驅(qū)動(dòng)器芯片已在客戶端完成驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)小批量出貨。
立昂微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.18億元，同比增21.94%
10月28日晚間，立昂微發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。立昂微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.18億元，同比增長(zhǎng)21.94%；歸母凈利潤(rùn)0.13億元，同比增長(zhǎng)6.63%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.06億元，同比下滑47.75%。
立昂微主營(yíng)業(yè)務(wù)主要分三大板塊，分別是半導(dǎo)體硅片、半導(dǎo)體功率器件芯片、化合物半導(dǎo)體射頻芯片。
2024年第三季度，立昂微半導(dǎo)體功率器件芯片銷量40.64萬(wàn)片，同比下降5.11%，環(huán)比下降15.84%；化合物半導(dǎo)體射頻芯片銷量0.96萬(wàn)片，同比增長(zhǎng)111.34%，環(huán)比增長(zhǎng)11.20%。
均勝電子前三季度全球新獲訂單總金額約704億元
10月28日晚間，均勝電子發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。均勝電子Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收140.56億元，同比下滑1.68%；歸母凈利潤(rùn)3.05億元，同比增長(zhǎng)0.50%；歸母扣非凈利潤(rùn)3.03億元，同比增長(zhǎng)10.09%。
2024年前三季度，均勝電子全球新獲訂單全生命周期總金額約704億元，其中新能源車型相關(guān)的訂單約376億元。
據(jù)悉，均勝電子是全球最早實(shí)現(xiàn)800V高壓平臺(tái)產(chǎn)品量產(chǎn)的供應(yīng)商之一。2019年，保時(shí)捷發(fā)布全球首款基于800V平臺(tái)打造的汽車Taycan，便搭載了均勝電子首代高性能800V高壓平臺(tái)功率電子產(chǎn)品。
晶升股份Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1.27億元，8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備已交付
10月28日晚間，晶升股份發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。晶升股份Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1.27億元，同比增長(zhǎng)0.97%；歸母凈利潤(rùn)0.19億元，同比下滑31.57%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.09億元，同比下滑53.89%。
晶升股份主要從事晶體生長(zhǎng)設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，向半導(dǎo)體材料廠商及其他材料客戶提供半導(dǎo)體級(jí)單晶硅爐、碳化硅單晶爐和其他設(shè)備等定制化產(chǎn)品。
8月7日，晶升股份在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，其第一批8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備已于2024年7月在重慶完成交付。
拓荊科技Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收10.11億元，同比增長(zhǎng)44.67%
10月28日晚間，拓荊科技發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。拓荊科技Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收10.11億元，同比增長(zhǎng)44.67%；歸母凈利潤(rùn)1.42億元，同比下滑2.91%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.46億元，同比下滑58.79%。
拓荊科技專注于研發(fā)和生產(chǎn)高端半導(dǎo)體專用設(shè)備，產(chǎn)品線包括離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三大系列。產(chǎn)品已廣泛用于中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國(guó)內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線。
今年上半年，拓荊科技超高深寬比溝槽填充CVD設(shè)備、PE-ALD SiN工藝設(shè)備、HDPCVD FSG、HDPCVD STI工藝設(shè)備等新產(chǎn)品及新工藝已經(jīng)下游用戶驗(yàn)證導(dǎo)入。
天岳先進(jìn)Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.69億元，凈利同比增長(zhǎng)982.08%
10月29日晚間，天岳先進(jìn)發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。天岳先進(jìn)Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.69億元，同比下滑4.60%；歸母凈利潤(rùn)0.41億元，同比增長(zhǎng)982.08%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.39億元。
天岳先進(jìn)董事長(zhǎng)宗艷民率團(tuán)于2024年8月30日訪問(wèn)了海信集團(tuán)，其家電集團(tuán)研發(fā)技術(shù)負(fù)責(zé)人與海信空調(diào)事業(yè)部負(fù)責(zé)人等就碳化硅半導(dǎo)體材料和器件的技術(shù)進(jìn)展方向，以及碳化硅功率器件在白色家電上的應(yīng)用展開了交流。
9月1日，天岳先進(jìn)在官微宣布將與海信集團(tuán)就碳化硅在白色家電領(lǐng)域的應(yīng)用展開交流，意味著雙方未來(lái)將共同加快推動(dòng)碳化硅技術(shù)在白色家電領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)程。
斯達(dá)半導(dǎo)體Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.81億元，正在建設(shè)車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET芯片項(xiàng)目
10月29日晚間，斯達(dá)半導(dǎo)體發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。斯達(dá)半導(dǎo)體Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.81億元，同比下滑5.30%；歸母凈利潤(rùn)1.49億元，同比下滑34.91%；歸母扣非凈利潤(rùn)1.45億元，同比下滑33.95%。
斯達(dá)半導(dǎo)體致力于IGBT、快恢復(fù)二極管、碳化硅等功率芯片的設(shè)計(jì)和工藝及IGBT、MOSFET、碳化硅等功率模塊的設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源、新能源汽車、工業(yè)控制和電源、白色家電等領(lǐng)域。
碳化硅業(yè)務(wù)方面，其募投項(xiàng)目正在建設(shè)碳化硅芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目以及高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，目前還處于項(xiàng)目建設(shè)階段，項(xiàng)目建設(shè)完成后，將形成年產(chǎn)6萬(wàn)片6英寸車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET芯片以及30萬(wàn)片6英寸3300V以上高壓特色功率芯片的生產(chǎn)能力。
芯聯(lián)集成Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收16.68億元，虧損收窄
10月28日晚間，芯聯(lián)集成發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。芯聯(lián)集成Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收16.68億元，同比增長(zhǎng)27.16%；歸母凈利潤(rùn)-2.13億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-2.96億元。
關(guān)于業(yè)績(jī)變化的主要原因，芯聯(lián)集成表示，隨著新能源車及消費(fèi)市場(chǎng)的回暖，其產(chǎn)能利用率逐步提升。
在碳化硅業(yè)務(wù)方面，繼和蔚來(lái)汽車、理想汽車等公司簽訂長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作協(xié)議后，芯聯(lián)集成近日還獲得廣汽埃安旗下全系車型定點(diǎn)。根據(jù)協(xié)議，芯聯(lián)集成提供的高性能碳化硅MOSFET與硅基IGBT芯片和模塊未來(lái)幾年內(nèi)將被應(yīng)用于廣汽埃安的上百萬(wàn)輛新能源汽車上。
納芯微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收5.17億元，已推出1200V碳化硅產(chǎn)品
10月28日晚間，納芯微發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。納芯微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收5.17億元，同比增長(zhǎng)86.59%；歸母凈利潤(rùn)-1.42億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-1.55億元。
納芯微是一家高性能高可靠性模擬及混合信號(hào)芯片公司，產(chǎn)品涵蓋傳感器、信號(hào)鏈和電源管理三大領(lǐng)域，被廣泛應(yīng)用于汽車、泛能源及消費(fèi)電子場(chǎng)景。
在碳化硅領(lǐng)域，納芯微的碳化硅二極管基于混合式PIN-肖特基二極管技術(shù)，推出了1200V系列產(chǎn)品；碳化硅MOSFET器件基于平面柵工藝，推出新一代自對(duì)準(zhǔn)高電流密度產(chǎn)品。
賽微電子Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.74億元，業(yè)務(wù)涵蓋氮化鎵器件
10月28日晚間，賽微電子發(fā)布了2024年第三季度報(bào)告。賽微電子Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.74億元，同比下滑46.56%；歸母凈利潤(rùn)-0.75億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-0.79億元。
據(jù)悉，賽微電子以半導(dǎo)體業(yè)務(wù)為核心，重點(diǎn)發(fā)展MEMS工藝開發(fā)與晶圓制造業(yè)務(wù)，同時(shí)布局GaN材料與器件業(yè)務(wù)。賽微電子目前的主要產(chǎn)品及業(yè)務(wù)包括MEMS芯片的工藝開發(fā)及晶圓制造、氮化鎵外延材料生長(zhǎng)與器件設(shè)計(jì)，下游應(yīng)用領(lǐng)域包括通信、生物醫(yī)療、工業(yè)科學(xué)、消費(fèi)電子等。
關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，賽微電子表示，報(bào)告期內(nèi)，其營(yíng)業(yè)總收入下降的原因是半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)規(guī)模同比下降了約2/3。對(duì)于北京MEMS產(chǎn)線，報(bào)告期內(nèi)繼續(xù)處于產(chǎn)能爬坡階段，MEMS業(yè)務(wù)的整體規(guī)模實(shí)現(xiàn)了顯著增長(zhǎng)；但由于產(chǎn)能的持續(xù)建設(shè)和經(jīng)營(yíng)活動(dòng)的持續(xù)擴(kuò)大，產(chǎn)線的折舊攤銷壓力巨大，同時(shí)又繼續(xù)保持了較高的研發(fā)強(qiáng)度，而獲得的政府補(bǔ)助較上年同期大幅減少，北京MEMS產(chǎn)線繼續(xù)虧損且虧損金額擴(kuò)大。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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