9月24日，意法半導(dǎo)體（ST）官宣推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。
source：意法半導(dǎo)體
意法半導(dǎo)體表示，其第四代碳化硅MOSFET技術(shù)在功率效率、功率密度和穩(wěn)定性方面樹立了新的標桿。新技術(shù)在滿足汽車和工業(yè)市場應(yīng)用需求的同時，還特別針對電動汽車牽引逆變器應(yīng)用進行了優(yōu)化。意法半導(dǎo)體還計劃在2027年之前推出更多先進的碳化硅技術(shù)創(chuàng)新。
與硅基解決方案相比，ST的第四代碳化硅MOSFET效率更高、元件更小、重量更輕，并能夠延長續(xù)航里程。目前，領(lǐng)先的電動汽車制造商正與ST合作，將第四代碳化硅技術(shù)引入其車輛，以提高性能和能源效率。
雖然主要應(yīng)用是電動汽車牽引逆變器，但ST的第四代碳化硅MOSFET也適用于大功率工業(yè)電機驅(qū)動器，可實現(xiàn)更高效、更可靠的電機控制，降低工業(yè)環(huán)境中的能耗和運營成本。
在可再生能源應(yīng)用中，ST第四代碳化硅MOSFET可提高太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的效率，有助于實現(xiàn)更可持續(xù)、更具成本效益的能源解決方案。此外，這些碳化硅MOSFET可用于AI服務(wù)器數(shù)據(jù)中心的電源裝置，其高效率和緊湊尺寸對于巨大的功率需求和熱管理挑戰(zhàn)至關(guān)重要。
ST的新型碳化硅MOSFET器件將提供750V和1200V兩個級別，將提高400V和800V電動汽車牽引逆變器的能效和性能，將碳化硅的優(yōu)勢帶入中型和緊湊型電動汽車。
截至目前，ST已完成第四代碳化硅技術(shù)平臺750V電壓等級的認證，預(yù)計將在2025年第一季度完成1200V電壓等級的認證。標稱電壓為750V和1200V的設(shè)備將隨后投入商業(yè)使用，使設(shè)計人員能夠滿足從標準交流線電壓到高壓電動汽車電池和充電器的應(yīng)用。
截至目前，ST已為全球500多萬輛乘用車提供STPOWER碳化硅器件，用于牽引逆變器、OBC（車載充電器）、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電站和電動壓縮機等一系列電動汽車應(yīng)用，提高了新能源汽車的性能、效率和續(xù)航里程。（來源：意法半導(dǎo)體，集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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