2月20日,在福州市可持續(xù)發(fā)展暨企業(yè)家大會主會場及長樂分會場,長樂區(qū)簽約落地16個重大項目,其中之一為天睿半導體項目。
圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
資料顯示,福建天睿半導體有限公司成立于2023年2月,注冊資本50億人民幣,經(jīng)營范圍含電子元器件制造、批發(fā),電力電子元器件銷售;電子元器件與機電組件設備制造、銷售等。
據(jù)悉,天睿半導體項目將新建8英寸碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)晶圓廠,并通過產(chǎn)業(yè)并購和新建項目等方式布局第三代半導體襯底外延、晶圓制造、器件設計、系統(tǒng)應用及相關設備生產(chǎn)等全產(chǎn)業(yè)鏈。項目落地后將為福州帶來先進的SiC、GaN等領域生產(chǎn)研發(fā)經(jīng)驗,打造千億級第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群。
值得一提的是,福州近日還新簽約兩個GaN項目,總投資額超10億元。其中之一為芯睿半導體GaN晶圓廠項目,由福建芯睿半導體有限公司建設。芯睿半導體成立于2023年12月,注冊資本50億人民幣,經(jīng)營范圍含電子元器件批發(fā)、電力電子元器件銷售、電子元器件與機電組件設備銷售、電子元器件與機電組件設備制造、電子元器件制造等。
另外一個項目為福州鎵谷GaN外延片項目,由福州鎵谷半導體有限公司建設,主營第三代半導體的研發(fā)與生產(chǎn),預計投入10億元,用地86畝,達產(chǎn)后年產(chǎn)能24萬片。鎵谷半導體成立于2022年7月,致力于第三代半導體材料GaN外延的研發(fā)與生產(chǎn),產(chǎn)品包括硅基氮化鎵(GaN on Si)、碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC)、藍寶石基氮化鎵(GaN on Sapphire),主要應用于電力電子及功率器件。
在福州已簽約的第三代半導體相關項目基礎上,此次天睿半導體項目簽約落地,有助于福州進一步完善第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈。(集邦化合物半導體Zac整理)
更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。