據(jù)報道，近日，新加坡科學技術(shù)研究局 (A * STAR) 下屬研究機構(gòu)微電子研究所 (IME) 與德國擴散及退火設(shè)備供應(yīng)商centrotherm International AG就8英寸SiC技術(shù)達成合作，IME的8英寸開放式R&D SiC試產(chǎn)線將與centrotherm的擴散及退火設(shè)備相結(jié)合，為SiC材料制備環(huán)節(jié)提供解決方案。
雙方共同研發(fā)的集成式SiC MOSFET技術(shù)解決方案（來源：A*STAR 及centrotherm）
業(yè)界熟知，SiC擁有高能效、高功率、耐高壓等特性，已成為電動汽車、軌道交通、數(shù)據(jù)中心及電網(wǎng)等高壓高功率應(yīng)用領(lǐng)域的理想材料，市場需求呈現(xiàn)不斷增長的趨勢。但SiC產(chǎn)品和技術(shù)目前尚未大規(guī)模商用化應(yīng)用，處于供不應(yīng)求的階段，而量產(chǎn)的其中一個主要障礙便是SiC襯底環(huán)節(jié)，該環(huán)節(jié)現(xiàn)階段仍存在較多缺陷問題，迫切需要突破各項瓶頸。
在此背景下，IME與centrotherm旨在結(jié)合IME的工藝集成和器件特性描述能力以及centrotherm的專業(yè)設(shè)備，共同開發(fā)用于制造SiC器件的熱處理技術(shù)，譬如，優(yōu)化溝槽和柵氧化物形成，借此增強SiC MOSFET、SiC二極管等器件的性能和可靠性。
據(jù)了解，IME成立于1991年，立足于全球半導體產(chǎn)業(yè)，目前聚焦先進封裝、piezoMEMS、SiC/GaN、毫米微波、光學傳感器等領(lǐng)域的研發(fā)工作。
在SiC領(lǐng)域，IME近年來已陸續(xù)與材料廠商Soitec、東麗及ST意法半導體等SiC主要玩家達成戰(zhàn)略合作關(guān)系，持續(xù)發(fā)力8英寸SiC材料技術(shù)，瞄準高功率應(yīng)用市場的機會。
而centrotherm擁有70多年的歷史，熱處理和涂層技術(shù)是該公司的核心競爭力，其設(shè)備的應(yīng)用場景覆蓋晶圓制造、功率半導體、MEMS、光電、光伏、光纖制造等。隨著公司朝向SiC等功率半導體領(lǐng)域發(fā)展，centrotherm下一步計劃進一步增強寬禁帶半導體工藝模塊的擴散和退火工藝專業(yè)性，并將專業(yè)知識拓展至SiC/GaN及其他創(chuàng)新性寬禁帶半導體材料領(lǐng)域。
作為本次合作的一部分，centrotherm將在新加坡組件一支專業(yè)的技術(shù)團隊，為IME提供技術(shù)know-how，工藝配方和現(xiàn)場支持。
IME認為，公司的8英寸SiC試產(chǎn)線與centrotherm的先進設(shè)備相結(jié)合，有利于兩家公司加快技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)的步伐，更好地應(yīng)對市場需求。（文：集邦化合物半導體Jenny）
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