北京時間9月21日,日本半導(dǎo)體設(shè)備廠商國際電氣(Kokusai Electric)發(fā)布公告稱,將于10月25如在東京證券交易所上市。此次公開募股(IPO)或許是日本自2018年以來,規(guī)模最大最大的一次IPO。
據(jù)外網(wǎng)消息,有關(guān)人士透露消息,KKR的目標是以27億美元的估值上市日本國際電氣。
公司發(fā)展歷程
2000年,國際電氣、日立電子、八木天線三家企業(yè)合并成早先的日立國際電氣。國際電氣,1949年成立,從事無線通信設(shè)備與半導(dǎo)體制作;日立電子,1948年成立,從事無線通信設(shè)備與映像設(shè)備制作;八木天線(Yagi Antenna),于1952年成立,擁有天線專利。
2017年12月9日私募股權(quán)集團科爾伯格-克拉維斯-羅伯茨(KKR)以每股3132日圓,斥資30億美元收購日立國際電氣(Hitachi Kokusai)半導(dǎo)體制造設(shè)備部門。
次年,KKR將這個部門從日立分離了出來,其接管了日立國際電氣的成膜工藝解決方案業(yè)務(wù)。獨立后的日本國際電氣主要從事薄膜沉積設(shè)備的生產(chǎn),臺積電、三星等企業(yè)都是它的客戶。
圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
技術(shù)產(chǎn)品優(yōu)勢
據(jù)悉,在半導(dǎo)體制造的眾多工序中,該公司以影響半導(dǎo)體器件性能的成膜及處理(提高膜質(zhì))工序為中心開展業(yè)務(wù)。這些工藝有兩種類型:單晶圓式和批量式,單晶圓式一次在一個晶圓上沉積薄膜,而批量式則可以一次在數(shù)十個或更多晶圓上沉積薄膜,從而產(chǎn)生高生產(chǎn)率。
日本國際電氣在批量薄膜沉積設(shè)備和單片處理設(shè)備方面得到了全球半導(dǎo)體器件制造商的高度評價。
其批量ALD(循環(huán)供應(yīng)多種氣體的過程的原子層水平薄膜沉積方法)技術(shù)和處理(膜質(zhì)改善)技術(shù)尤為先進。
收購與上市
全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備和服務(wù)供應(yīng)商應(yīng)用材料(Applied Materials)最早在2019年7月已經(jīng)達成了22億美元收購日本國際電氣的交易,但隨著芯片產(chǎn)業(yè)估值水漲船高,2021年1月應(yīng)用材料加價59%至35億美元。2021年3月,由于中國監(jiān)管方并未及時批準交易,應(yīng)用材料宣布放棄并購日本國際電氣。
在收購計劃被叫停之后,2022年KKR開始籌備日本國際電氣上市的事宜。
今年,隨著軟銀旗下芯片架構(gòu)設(shè)計公司Arm在紐約大規(guī)模IPO后,成功上市并破發(fā),在經(jīng)濟不景氣的大環(huán)境下給投資者們來了一針強心劑。目前日本的IPO活動依然強勁,股市處于33年來的高點并且利率超低。日本國際電氣此時順著大勢公開募資上市,其實也并不令人意外。
更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。