日前，國(guó)星光電公布了MiniLED產(chǎn)品的最新規(guī)劃，隨后，該公司在行業(yè)論壇上也透露了Micro LED技術(shù)研發(fā)的最新進(jìn)展。
今年6月，國(guó)星推出第一代Micro LED顯示新品 nStarⅠ，采用玻璃基板工藝、RGB芯片巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)以及一體式超薄封裝技術(shù)，有助于實(shí)現(xiàn)被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)Micro LED全彩顯示屏。
國(guó)星Micro LED顯示新品 nStarⅠ（圖片來(lái)源：國(guó)星）
目前，國(guó)星光電在Micro LED領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)了較大的技術(shù)突破，在第一代Micro LED顯示屏的基礎(chǔ)上，已與面板廠合作開發(fā)出基于TFT玻璃背板的主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)Micro LED全彩顯示屏。
近日，國(guó)星采用自主研發(fā)的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，已經(jīng)初步實(shí)現(xiàn)250PPI以上紅/綠/藍(lán)單色轉(zhuǎn)移鍵合點(diǎn)亮。預(yù)計(jì)明年將實(shí)現(xiàn)P0.1以下的主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)全彩顯示及P0.0x以下的被動(dòng)式驅(qū)動(dòng)單色顯示，未來(lái)可滲透在4k/8k大尺寸電視顯示屏、車載顯示屏、穿戴設(shè)備顯示設(shè)備、AR/VR等應(yīng)用市場(chǎng)。
MiniLED芯片方面，早前公開消息顯示，國(guó)星半導(dǎo)體的Mini芯片已通過客戶驗(yàn)證規(guī)格，可供應(yīng)直顯與背光產(chǎn)品，目前實(shí)現(xiàn)小批量出貨。
本月底，國(guó)星RGB事業(yè)部將推出高性價(jià)比國(guó)星MiniLED IMD-M09標(biāo)準(zhǔn)版，預(yù)計(jì)在2021年做到0.015元/像素點(diǎn)。在承接了SMD 1010在規(guī)?；蛢r(jià)格上的優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，MiniLED IMD-M09標(biāo)準(zhǔn)版未來(lái)價(jià)格有望低于SMD 1010。
產(chǎn)能方面，國(guó)星現(xiàn)有IMD產(chǎn)能是1000KK/月，預(yù)計(jì)2021年Q1將顯著提升。值得注意的是，19億的新基地?cái)U(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目將于明年開始啟用。（LEDinside整理）
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