碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。 其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關(guān)鍵作用，現(xiàn)分述如下: ·干法蝕刻概述 ·碳化硅反應(yīng)離子蝕刻 ·碳化硅反應(yīng)離子蝕刻案例 ·ICP的應(yīng)用與優(yōu)化 01、干法...  [詳內(nèi)文]