8月14日，據(jù)外媒報(bào)道，L&T Semiconductor Technologies（LTSCT）計(jì)劃投資100億~120億美元，在未來5到10年內(nèi)在印度建立三個(gè)半導(dǎo)體制造工廠，分別專注于硅、碳化硅和氮化鎵技術(shù)。
LTSCT為L&T的全資子公司，是一家無晶圓廠公司。公司業(yè)務(wù)涵蓋MEMS傳感器、功率、模擬混合信號(hào)和射頻產(chǎn)品，以支持汽車、工業(yè)、能源和電信領(lǐng)域。
公司首席執(zhí)行官Sandeep Kumar表示，LTSCT從類似高通或聯(lián)發(fā)科的系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）設(shè)計(jì)公司向芯片制造實(shí)體的轉(zhuǎn)型，將建立在公司實(shí)現(xiàn)10億美元營收目標(biāo)的基礎(chǔ)之上。LTSCT預(yù)估這一營收目標(biāo)將在未來2~3年內(nèi)實(shí)現(xiàn)，屆時(shí)將著手建設(shè)晶圓廠。
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Kumar進(jìn)一步解釋道，該公司涉足各種技術(shù)，包括高端硅芯片以及中低端碳化硅和氮化鎵芯片。因此，隨著時(shí)間的推移，公司計(jì)劃建立三個(gè)不同的晶圓廠，每個(gè)晶圓廠都需要不同程度的投資。資金分配方面，LTSCT對硅的投資或?qū)⒊^100億美元，對碳化硅的投資額在10億美元以上，對氮化鎵的投資額則在5億美元左右。
“在硅材料方面，所有合作伙伴的細(xì)節(jié)都已就緒。在氮化鎵方面，已經(jīng)完成了一半工作，而碳化硅方面，在未來三個(gè)月內(nèi)，公司將確定與誰合作。”Kumar補(bǔ)充道。
據(jù)悉，LTSCT的碳化硅芯片由兩家日本合作伙伴生產(chǎn)，而基于氮化鎵的射頻和功率器件芯片將由格芯和中國臺(tái)灣的世界先進(jìn)生產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Rick編譯）
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